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[期刊论文] 作者:曹余录,, 来源:半导体情报 年份:2004
在12~20千兆赫的频率范围内研究了肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管。最大有用功率增益的测量表明,在这个范围内,器件具有比预期更高的增益。用带线技术制成了输出功率为4毫瓦...
[期刊论文] 作者:曹余录,, 来源:半导体情报 年份:1971
微波晶体管的噪声测量表明,最小噪声系数的最佳源导纳近似等于随频率增加的晶体管输入导纳的共轭复数值。这个事实可以用微波晶体管的噪声等效电路来解释。The noise measu...
[期刊论文] 作者:E.T.Watkins,曹余录,, 来源:半导体情报 年份:1983
用1/4μm栅结构研制出新的毫米波场效应晶体管(FET)器件。这个器件在波导-微波集成电路(MIC)放大器电路中从55~62GHz有5.0±0.5dB的增益,在60GHz下最小噪声系数为7.1dB。A n...
[期刊论文] 作者:Robert A.Pucel,曹余录,, 来源:半导体情报 年份:1978
提出了砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)混频器的信号特性的理论分析和实验证明。描述了估计某些混频器参数的实验技术。在X波段下,对砷化镓MESFET混频器进行的实...
[期刊论文] 作者:王淑君,曹余录, 来源:半导体情报 年份:1993
介绍了35GHz赝配高电子迁移率晶体管的设计、制造与性能。在测试频率为35GHz时,该器件的最小噪声系数为2.46dB,相关增益为6.95dB。这是国内首次设计定型的8mm三端固态有源器...
[期刊论文] 作者:曹余录,康长琦,, 来源:半导体情报 年份:1984
一、概述直播卫星(DBS)电视广播具有覆盖面积大、传播距离远、传输质量高等优点,是其他传播方式无法比拟的。因此,DBS电视广播在国外得到迅速发展,成为电子科学发展的一个重...
[期刊论文] 作者:王淑君,曹余录,黄常胜,袁明文,, 来源:半导体情报 年份:1993
介绍了35GHz赝配高电子迁移率晶体管的设计、制造与性能。在测试频率为35GHz时,该器件的最小噪声系数为2.46dB,相关增益为6.95dB。这是国内首次设计定型的8mm三端固态有源器...
[期刊论文] 作者:王淑君,黄常胜,曹余录,王福兴,, 来源:半导体情报 年份:1991
制造了0.4μm×250μm栅赝配AlGaAs-InGaAs HEMT。器件具有比良的高频、低噪声特性。赝配材料采用分子束外延生长。本文介绍了器件结构、性能并讨论了沟道电子的平均速度。...
[期刊论文] 作者:王淑君,杨汉朋,曹余录,黄常胜,史志峰,王福兴,, 来源:半导体情报 年份:1990
本文简要介绍了CX502N型微波砷化镓场效应晶体管的设计、特性与制造。器件采用了新的“积木式”台面结构,减小了栅-漏反馈电容。测试表明,器件具有高增益、高栅-漏击穿及低噪...
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