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[期刊论文] 作者：邓航军,范缇文,王占国,梁基本,朱战萍,李瑞钢,
来源：半导体学报 年份：1994
我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究，发现原生样品和衬底之间存在晶格失配，随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失，ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火......
[期刊论文] 作者：邓航军,范缇文,王占国,梁基本,朱战萍,李瑞钢,
来源：半导体学报 年份：1994
我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火......
[期刊论文] 作者：曹昕,曾一平,孔梅影,王保强,潘量,张昉昉,朱战萍,
来源：半导体学报 年份：2000
用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的...
[期刊论文] 作者：曹昕,曹一平,孔梅影,王保强,潘量,张昉昉,朱战萍,
来源：半导体学报 年份：2000
用MBE方法制备的PHEMT微结构材料,其2DEG浓度随材料结构的不同在2.0-4.0×1012cm-2之间,室温霍耳迁移率在5000-6500cm2·V-1·s-1之间.制备的PHEMT器件,栅长为0.7μm的器件的...
[期刊论文] 作者：朱东海,梁基本,徐波,朱战萍,张隽,龚谦,李胜英,王占国,
来源：半导体学报 年份：1997
通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1......
[期刊论文] 作者：杨斌, 王占国, 陈涌海, 梁基本, 廖奇为, 林兰英, 朱战萍,
来源：半导体学报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：张晓秋,朱战萍,孙殿照,孔梅影,曾一平,郑海群,阎春辉,
来源：真空科学与技术 年份：1990
在分子束外延（MBE）设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射（RHEED）强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和AlxGa1-xAs材料时观察了RHEED强度振荡...
[期刊论文] 作者：梁基本,孔梅影,段维新,朱战萍,谢茂海,朱世荣,曾一平,张学渊,,
来源：半导体情报 年份：1991
用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽2...
[期刊论文] 作者：梁基本,孔梅影,王占国,朱战萍,段维新,王春艳,张学渊,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1993
用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏...
[期刊论文] 作者：朱东海,范缇文,梁基本,徐波,朱战萍,龚谦,江潮,李含轩,周伟,王占国,
来源：发光学报 年份：1997
利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中......
[期刊论文] 作者：朱东海,王占国,梁基本,徐波,朱战萍,张隽,龚谦,金才政,丛立方,胡雄伟,韩勤,方祖捷,刘斌,屠玉珍,
来源：半导体学报 年份：1997
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征......
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