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[期刊论文] 作者：金圣雄 金原奭 柳在一 李禹奉 李贞烈,
来源：液晶与显示 年份：2006
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度，在PECVD设备和干法刻蚀设备中，利用H2／SF6等离子体对SiN，薄膜表面进行处理。在制备纳......
[期刊论文] 作者：金原奭 金圣雄 崔大林 柳在一 李禹奉 李贞烈,
来源：液晶与显示 年份：2006
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题，采用低阻栅线是十分有益的，同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而，由于Al较高的氧化速度，铝合金和ITO材料接触性能并不......
[期刊论文] 作者：金雄聖,金原奭,柳在一,李禹奉,李貞烈,
来源：液晶与显示 年份：2004
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备...
[期刊论文] 作者：金聖雄,金原奭,柳在一,李禹奉,李貞烈,,
来源：液晶与显示 年份：2006
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制...
[期刊论文] 作者：刘圣烈,崔萤石,金奉柱,柳在一,李禹奉,李贞烈,
来源：液晶与显示 年份：2006
为了减少制造工艺的过程，改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题，主要是为减少工艺过程，而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF......
[期刊论文] 作者：宋泳锡,刘圣烈,柳在一,张炳铉,李禹奉,李贞烈,
来源：液晶与显示 年份：2006
为了获得更高性能的TFT—LCD面板，在光刻时保证精细的图形成像十分重要，其中，如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中，我们只简单地改变了一下烘烤工艺......
[期刊论文] 作者：金原奭,金聖雄,崔大林,柳在一,李禹奉,李貞烈,
来源：液晶与显示 年份：2004
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程.然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并...
[期刊论文] 作者：金原奭,金聖雄,崔大林,柳在一,李禹奉,李貞烈,,
来源：液晶与显示 年份：2006
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能...
[期刊论文] 作者：劉聖烈,崔螢石,金奉柱,柳在一,李禹奉,李貞烈,,
来源：液晶与显示 年份：2006
为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应...
[期刊论文] 作者：宋泳锡,劉聖烈,柳在一,張炳鉉,李禹奉,李貞烈,,
来源：液晶与显示 年份：2006
为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤...
[期刊论文] 作者：劉聖烈,崔螢石,金奉柱,柳在一,李禹奉,李貞烈,
来源：液晶与显示 年份：2004
为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善.但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用.本文应用C...
[期刊论文] 作者：宋泳锡,劉聖烈,柳在一,張炳鉉,李禹奉,李貞烈,,
来源：液晶与显示 年份：2004
为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一.本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工...
[期刊论文] 作者：金奉柱,崔莹石,刘圣烈,张炳铉,柳在一,李禹奉,李贞烈,
来源：液晶与显示 年份：2006
为了获得高的开口率，有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀，但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小，因此，必须增加过孔的尺寸才行。为......
[期刊论文] 作者：金奉柱, 崔瑩石, 劉聖烈, 張炳鉉, 柳在一, 李禹奉, 李貞,
来源：液晶与显示 年份：2006
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[期刊论文] 作者：金奉柱,崔瑩石,劉聖烈,張炳鉉,柳在一,李禹奉,李貞烈,,
来源：液晶与显示 年份：2006
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行...
[期刊论文] 作者：金奉柱,崔瑩石,劉聖烈,張炳鉉,柳在一,李禹奉,李貞烈,Ju,
来源：液晶与显示 年份：2004
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行....
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