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[期刊论文] 作者：杨宝均,
来源：发光与显示 年份：1980
引言 Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体是良好的发光材料。具有禁带宽度大,发光效率高等优点。但它们的熔点高,蒸汽压高,只有在高温高压下才能熔融。一般条件下难以实现熔体生长。 我们...
[期刊论文] 作者：杨宝均,田华,
来源：发光学报 年份：1990
本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度,硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶...
[期刊论文] 作者：杨宝均,B.W.Wessels,
来源：人工晶体 年份：1988
ZnSe 薄膜是制作蓝色发光器件和激光器件的材料,多用汽相外延生长。有机金属汽相外延(OMVPE)能在较低温度下生长晶体,从而改善外延层的结晶完整性和纯度。本工作以二甲基锌...
[期刊论文] 作者：杨宝均,申德振,
来源：光电子．激光 年份：1999
用光助，低压ＭＯＣＶＤ方法获得ｐ－ＺｎＳｅ，ｐ－ＺｎＳＳｅ受主浓度为３×１０＾１６ｃｍ＾－３和８×１０＾１６－２×１０＾１７ｃ＾－３的条件下，生长制备ｎ－ＺｎＳＳｅｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ／ｐ－ＺｎＳｅ ｐ－ＺｎＳＳＥ的ＺｎＳｅ ＬＤ结构２，在经解理约为１ｍｍ腔长样品上，在７７Ｋ，观测到其蓝绿发光峰半高宽随脉冲电压增加出现窄化现象，表明有激射产......
[期刊论文] 作者：张吉英,杨宝均,
来源：人工晶体学报 年份：1997
本实验室用的低压ＭＯＣＶＤ设备是由原来的常压ＭＯＣＶＤ设备改造的。其中设备中用的主要部件，如质量流量计、压力控制器、压力传感器和机械泵等都是国外进口。组合阀门和冷阱温度控制仪等为国产......
[期刊论文] 作者：张吉英,杨宝均,
来源：光电子．激光 年份：1997
用低压－金属有机化学气相沉积方法在ＧａＡｓ衬底上生长了ＺｎＴｅｘＳｅ１－ｘ单晶薄膜。在Ｎ２分子激光器激发下，首镒在室温，ＺｎＴｅ０．００５Ｓｅ０．９９５单晶层中观测到它的蓝带发光。随Ｘ值增加，ＺｎＴｅｘＳｅ１－ｘ中Ｓ１带消失，发光主要由一个绿......
[期刊论文] 作者：赵丽娟,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1996
本文报导了用ＭＯＣＶＤ技术制备的ＺｎＳ：Ｍｎ电致发光薄膜为立方晶相，结晶取向性好，颗粒大。从高倍率的扫描电镜拍摄的照片观察到薄膜的表面平滑。ＳＩＭＳ测量表明Ｍｎ＾２＋在ＺｎＳ薄膜纵向分布均匀，但在两侧有起伏，可能的......
[期刊论文] 作者：吕有明,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1996
本文报导了ＺｎＳ－ＺｎＴｅ应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质。通过测量室温下光致发光光谱，对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究。...
[期刊论文] 作者：张吉英,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1996
常压ＭＯＣＶＤ制备ＺｎＳｅ基ｐｉｎ二极管的蓝绿色电致发光张吉英，杨宝均，范希武，吕有明，申德振（中国科学院长春物理研究所．长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）蓝色电致发光和激光器件的研究已有......
[期刊论文] 作者：张吉英,杨宝均,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
用低压－－金属有机化学气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法生长了ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ和ＺｎＴＥＳｅ－ＺｎＳｅ多量子阱。在生长室压力３８ｔｏｒｒ，衬底面积１９×２０ｍｍ＾２的ＧａＡｓ衬底上，生长１００周期的ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅＭＱＷｓ，经扫描电镜测量，生长不均匀性仅小于１０％。随生长压强增大，生长不均匀性也增大。......
[期刊论文] 作者：吕有明,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1994
本文通过常压ＭＯＣＶＤ方法，利用ＮＨ３气作为受主掺杂源，在（１００）方向的ＧａＡｓ衬度上生长了ＺｎＳｅ：Ｎ膜，通过测量７７Ｋ温度下光致发光光谱，观测到了由于掺氮引起的自由到束缚发射（ＦＡ）和深中心复合（ＳＡ）。在低掺杂浓度下ＦＡ起主要作用，随......
[期刊论文] 作者：杨宝均,宋士惠,
来源：发光学报 年份：1993
用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Z_(n1-x)Cd_xSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量...
[期刊论文] 作者：李维志,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1991
本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度....
[期刊论文] 作者：杨宝均,王寿寅,
来源：发光学报 年份：1990
本文报导了在透明的CaF_2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。...
[会议论文] 作者：杨宝均,张吉英,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：李维志,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1991
本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度.In this pape...
[会议论文] 作者：杨宝均,张吉英,申德振,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
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[期刊论文] 作者：申德振,范希武,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1995
本文首次研究了ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳，实验结果表明，ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为１．１ＭＷ／ｃｍ２和６：１．根据测量得到的ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的激子......
[期刊论文] 作者：张吉英,范希武,杨宝均,
来源：发光学报 年份：1987
本文研究了ZnSe晶体的纯度与结晶完整性对其蓝色电致发光的影响。文中比较了用三种不同纯度的ZnSe原料生长的单晶,还比较了同一晶体上的单晶和孪晶在77K时的电致发光(EL)光谱...
[期刊论文] 作者：杨宝均,冯淑芬,杨玉芹,
来源：发光与显示 年份：1985
用化学蒸汽输运法(VT),以碘为输运剂,在封闭的生长安瓶内,生长温度900℃,蒸发源与生长中的晶体间温差(△T)为5—6℃,在园锥形安瓶顶端以取向的单晶作子晶,可以生长成完整的Zn...
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