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[期刊论文] 作者：武利翻,
来源：传感器世界 年份：2005
CCD(电荷藕合器件)是一种在硅集成电路工艺线上制作的图像传感器.本文介绍了CCD的基本工作原理和制造的单项工艺,并详细介绍了其关键工艺:氧化、光刻、离子注入,还对各工艺所...
[期刊论文] 作者：武利翻,,
来源：现代电子技术 年份：2010
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明...
[期刊论文] 作者：武利翻,,
来源：电子科技 年份：2010
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并分析1 PW层硼掺杂浓度参数对CCD...
[学位论文] 作者：武利翻,,
来源：西安电子科技大学 年份：2017
In As/AlSb高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中,InAs沟道材料有高电子峰值速度（4×l07 cm/s）,且InAs/AlSb异质结有很大的导带带隙ΔEc（1.35 eV）,有利于提高2DEG浓度,在高速、高频、低...
[期刊论文] 作者：武利翻,,
来源：科技创新导报 年份：2012
绘图系统主要是实现各种标准图形和任意线条图形的绘制编辑和变换,其中标准图形包括直线,多边形,椭圆,各种曲线等。要实现它们的绘制和各种基本变换(编辑功能),其中最关键的问题是曲线的多边形与曲线的拟合。......
[期刊论文] 作者：武利翻,,
来源：科教文汇(下旬刊) 年份：2012
摘要介绍了集成电路专业教学改革研究与实践的措施，并总结了该措施的创新点。该方法的推广应用对于指导高校正在开展的特色专业和品牌专业建设．具有十分重要的意义。...
[期刊论文] 作者：武利翻,
来源：科教导刊 年份：2012
高等学校提高教学质量、培养合格人才,需要科学、高效以及完善的教学管理制度作保障,建设一套科学、高效及完善的教学管理制度也是当前高等教育改革的重要内容之一。本文结合...
[期刊论文] 作者：武利翻,,
来源：科学技术与工程 年份：2010
分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压...
[期刊论文] 作者：武利翻,,
来源：传感器世界 年份：2010
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象，建立了CCD纵向抗晕结构模型，运用半导体器件数值模拟软件MEDICI，列建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明：CCD......
[期刊论文] 作者：武利翻,
来源：科学时代（上半月） 年份：2004
通过模拟小世界网络的两种经典构造算法SW模型和NW模型,来研究两个重要参数:平均最短路径长度和平均簇系数.在实验中通过调整它的几个参数N、k、p来求得对应网络的平均最短路...
[期刊论文] 作者：敖永春,武利翻,
来源：机电产品开发与创新 年份：2005
技术创新是一项系统工程,也是企业持续发展的动力.在企业的技术创新活动中,政府行为起着重要的推动作用,因此政府应当制定完善的相关政策、法规和制度,为促进企业技术创新提...
[期刊论文] 作者：武利翻, 苗瑞霞,,
来源：集成电路应用 年份：2018
InP基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H2O2混合液作为InP基HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较...
[期刊论文] 作者：汪建平,武利翻,熊平,,
来源：传感器与微系统 年份：2006
红外焦平面阵列是获取景物红外光辐射信息的重要光电器件。读出电路是其关键部件，良好的读出电路性能在红外焦平面阵列中发挥着重要的作用。列举了一些最新的CMOS读出电路单元......
[期刊论文] 作者：谢端,徐丽琴,武利翻,
来源：科教导刊 年份：2018
本文首先阐述了制订平时成绩考核方案所应遵从的原则。针对2013级＂Verilog HDL数字系统设计＂课程的平时成绩考核方案的不足,笔者对2014级考核方案进行了调整。为了验证新方案的...
[期刊论文] 作者：武利翻,苗瑞霞,商世广,
来源：发光学报 年份：2018
用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的...
Atomic-layer-deposited Al_2O_3 and HfO_2 on InAlAs: A comparative study of interfacial and electrica
[期刊论文] 作者：武利翻,张玉明,吕红亮,张义门,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Al_2O_3 and HfO_2 thin films are separately deposited on n-type InAlAs epitaxial layers by using atomic layer deposition(ALD).The interfacial properties are rev...
[期刊论文] 作者：武利翻,刘昌林,陈红兵,汪建平,熊平,,
来源：半导体光电 年份：2007
建立了电荷耦合器件（CCD）纵向抗晕结构模型，运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI，对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算，并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂......
[期刊论文] 作者：武利翻,苗瑞霞,李永峰,杨小峰,
来源：发光学报 年份：2017
用分子束外延在Ga As（001）衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度...
[期刊论文] 作者：武利翻,苗瑞霞,李永峰,杨小峰,,
来源：发光学报 年份：2004
用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温...
[期刊论文] 作者：武利翻,刘有耀,苗瑞霞,金蕾,张霞,
来源：科教文汇 年份：2021
地方高等学校培养什么样的人才以及怎样培养人才是非常重要的课题,关系到学校的整体定位和办学规划。该文结合西安邮电大学电子工程学院微电子科学与工程专业实践教学体系,对微电子科学与工程专业实践教学体系进行改革研究与实践分析,总结出新工科背景下对应用......
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