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[期刊论文] 作者：江关辉,
来源：半导体学报 年份：1981
在对P~+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P~+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和...
[期刊论文] 作者：江关辉,
来源：求知导刊 年份：2018
摘 要：在小学阶段的教学过程中，教师必须重视对学生的核心素养的培养，因为社会不断发展，对人才的需求出现了变化，而人才需求的变化，必然要求教育进行及时的调整。教育的目的就是培养学生成为社会所需要的人才，所以在新课程改革不断推进的今天，素质教育理念越来越受到人......
[会议论文] 作者：江关辉,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
该文报道金属--P型金刚石薄膜的肖特基势垒性能。在低阻Si单晶衬底上，用微波等离子体CVD法生长掺硼的多晶金刚石薄膜，用金属与P型金刚石薄膜接触的方法获得金刚石薄膜的肖特基...
[期刊论文] 作者：江关辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这...
[期刊论文] 作者：江关辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
用计算机辅助设计,给出P~+-N结正向势垒电容异常变化的变容管模型的最佳值解。据此研制的参放变容管性能为:γ[0.5V,-4V]=0.20～0.27,M=110～160。使用该器件的4GHz常温参放,噪声...
[期刊论文] 作者：江关辉,
来源：知识窗·教师版 年份：2018
摘要：在新课程改革背景下，小学数学教学更加重视激发学生的学习兴趣，以保证学生的学习质量，让学生主动投入到学习中，同时提升学生的学习效率。这非常符合新课程改革和素质教育提出的一系列要求，所以教师应积极探索科学有效的方式来激发学生的学习兴趣。 关键词：小学......
[期刊论文] 作者：桑群,江关辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文报道GaAs梁式引线混频管四管堆的研究结果.以半绝缘GaAs单晶为衬底,以NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒,用二氧化硅和聚酰亚胺两种介质为钝化保护膜而制成的梁式引线混额管四...
[期刊论文] 作者：江关辉,谢舒,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
用电子束蒸发LaB_6单晶的方法,制备了LaB_6/GsAs肖特基势垒,经800℃高温退火后,势垒高度为0.70eV,理想因子为1.15～1.2。用俄歇能谱观察到LaB_6/GaAs界面有良好的热稳定性,以La...
[期刊论文] 作者：周剑明,江关辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对，可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒，ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜，以及合理......
[期刊论文] 作者：相炳坤,江关辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
研究了衬底表面不同处理对燃烧焰法沉积金刚石成核密度的影响，发现用硬微粉（金刚石，碳化硅）对衬底的刻划。能明显地提高成核密度，在衬底表面涂覆机械泵油或先沉积薄类金刚石层也能......
[期刊论文] 作者：江关辉,高葆新,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功......
[会议论文] 作者：江关辉,孙柏根,
来源：中国电子学会90年全国第三届MIC电路及工艺会议 年份：1990
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[会议论文] 作者：相炳坤,江关辉,
来源：第四届全国固体薄膜学术会议 年份：1994
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[期刊论文] 作者：谢舒,吴禄训,江关辉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
近年来,自对准耐高温栅工艺(SAG)已成为国际上研究GaAs VHSIC的主要工艺途径之一。这是因为该工艺流程短,成品率高。但它需要选择制作肖特基势垒栅的材料,以在高温800℃)退...
[期刊论文] 作者：孙迎新,高葆新,江关辉,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
采用清华大学自行编制的混频器非线性分析程序ＴＵＭＩＸＥＲ，设计并研制Ｋａ频段ＭＭＩＣ平衡混频器。在对混频器电路的大信号非线性仿真过程中，进行了多频谱波平衡分析，给出了混频器电路在多频输入情况下......
[期刊论文] 作者：江关辉,高葆新,孙柏根,孙迎新,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功......
[期刊论文] 作者：江关辉,孙柏根,高葆薪,孙迎新,戴沛然,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｈｕｉ；ＳｕｎＢ.........
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