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[会议论文] 作者：盛国兴,
来源：2022年中国体育非物质文化遗产大会书面交流摘要汇编 年份：2022
研究目的:在敦煌遗书中曾提到"阴沉气凉,可以蹴鞠释闷,时哉!时哉!垂情幸降趾。"这表明蹴鞠运动在当时已经成为人们生活中不可或缺的一部分。2004年世界足联宣布世界足球的起源地在山东临淄之后,"蹴鞠"一词也逐渐出现在大众眼前。蹴鞠作为中国古代体育运动中最具......
[期刊论文] 作者：盛国兴,周广,
来源：中国锅炉压力容器安全 年份：2000
根据锅炉压力容器安全监察局(以下简称“锅炉局”)“关于对压力容器制造单位质量保证工程师进行培训、考核工作的通知”(以下简称“3019号文”),中国化工装备协会(以下简称“...
[期刊论文] 作者：傅义珠, 盛国兴,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯...
[期刊论文] 作者：李晓飞, 陈祥盛, 国兴明,,
来源：山地农业生物学报 年份：2004
斑蝥素(cantharidin)是由芫菁科Meloidae等昆虫产生的单萜类防御物质,因其具有抗肿瘤等药理作用而长期、广泛地被人们研究和利用.对斑蝥素的化学特性、生化特性、在昆虫体内...
[期刊论文] 作者：李晓飞, 陈祥盛, 国兴明,,
来源：昆虫知识 年份：2007
分别采用酸水解法和直接浸提法处理不同种芫菁样品、短翅豆芫菁Epicauta aptera Kaszab的卵和大斑芫菁Mylabris phalerata Pallas的不同虫体部位,后用气相色谱仪测定斑蝥素含...
[期刊论文] 作者：李晓飞,陈样盛,国兴明,,
来源：中成药 年份：2007
斑蝥又名芫菁，为芜菁科Meloidae昆虫的俗称。因其体内含有的斑蝥素为重要的抗癌药物而被广泛利用。因为斑蝥素为剧毒药物，所以准确测定斑蝥素的含量是规范中药标准化和推进中药......
[期刊论文] 作者：李晓飞,陈祥盛,国兴明,,
来源：湖北农业科学 年份：2006
描述了凹角豆芜菁的形态特征和生物学特性；其对中华稻蝗卵的捕食率达34．2％，可起到较好的控制作用。...
[期刊论文] 作者：吕勇,王佃利,盛国兴,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
腐蚀si时工艺顺序不同，得到的si片表面状态也不同，导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究，获得了优化的腐蚀si工艺条件，得到了平整的si表面，从而提高了器件的可靠性与生产......
[期刊论文] 作者：傅义珠,李相光,戴学梅,盛国兴,王因生,王佃利,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
硅微波功率器件因其具有功率大、可靠性好、工作电压低等优点，在通讯、雷达等诸多系统中有着广泛的应用。随着系统向小型化、高机动化、高可靠方向发展，要求单只器件的输出功率......
[期刊论文] 作者：吴鹏,林川,傅义珠,盛国兴,戴学梅,康小虎,王因生,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
南京电子器件研究所最近在研制超宽带、长脉宽硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展，研制出的器件在2.7-3.4GHz超宽带内，脉宽100μs，占空比10%条件下，全带内脉冲输出的功率大于100W，......
[期刊论文] 作者：王佃利,刘洪军,吕勇,严德圣,盛国兴,王因生,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠...
[期刊论文] 作者：王因生,李相光,傅义珠,王佃利,丁晓明,盛国兴,康小虎,,
来源：半导体学报 年份：2008
报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs......
[会议论文] 作者：王佃利,李相光,刘洪军,蔡俊,傅义珠,盛国兴,王因生,
来源：第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 年份：2005
提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果....
[期刊论文] 作者：傅义珠,戴学梅,康小虎,盛国兴,叶宗祥,方圆,王因生,王佃利,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
通过红外热相分析发现，在直流工作条件下，双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上；在微波工作条件下，双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43．7℃。试......
[期刊论文] 作者：王因生,李相光,傅义珠,丁晓明,王佃利,盛国兴,康小虎,陶有,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
南京电子器件研究所近期研制成功1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管。该器件在1．44～1．68GHz频带内，脉宽200tzs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于220W，功率增益大于......
[期刊论文] 作者：王因生,丁晓明,蒋幼泉,傅义珠,王佃利,王志楠,盛国兴,严德,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,...
[期刊论文] 作者：王因生,李相光,傅义珠,丁晓明,王佃利,盛国兴,康小虎,陶有迁,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
南京电子器件研究所近期研制成功1.44~1.68GH z 220W硅微波脉冲功率晶体管。该器件在1.44~1.68 GH z频带内,脉宽200μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于220...
[期刊论文] 作者：傅义珠,戴学梅,康小虎,盛国兴,叶宗祥,方圆,王因生,王佃利,吴鹏,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃...
[会议论文] 作者：王因生,张树丹,王佃利,傅义珠,盛国兴,桂德成,丁晓明,王志楠,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
报道一种掺砷多晶硅发射极超自对准亚微米工艺技术,特别适用于研制大面积的硅微波大功率晶体管.文中简述器件结构和工艺,同时给出器件研制的结果....
[期刊论文] 作者：王因生,丁晓明,蒋幼泉,傅义珠,王佃利,王志楠,盛国兴,严德圣,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,...
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