搜索筛选:
搜索耗时0.0960秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 51 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：程兴奎,
来源：材料研究学报 年份：1997
由射频溅射技术将稀土元素钆掺入非晶硅，制备聘种新的Ｎ型半导体材料，掺Ｙ低于９％时，在测量温度范围内ｌｏｇσ－Ｔ＾－１呈线性关系；当掺Ｙ高于１３％时，ｌ９ｌｏｇσ－Ｔ＾－１关于系可拟合成有一个拐点的两条直线；当掺Ｙ达－３０％时，发生由半导......
[期刊论文] 作者：程兴奎,,
来源：光电子技术 年份：1993
在掺稀土元素钇(Y)制备的室温电阻率约为7Ω·cm的n型非晶硅,即α-Si:H(Y)薄膜上,蒸发一层面积为3mm~2的Au或Al膜,从而形成一种金属/α-Si:H(Y)结构。测量该结构的电流—...
[期刊论文] 作者：程兴奎,
来源：国际学术动态 年份：2005
2003年12月赴香港参加全国(包括港澳台地区)半导体物理学术会议，这是两岸三地的半导体科学工作者举行的首次盛大聚会。会上半导体科学界几位著名的专家。中国科学院院士就半导...
[期刊论文] 作者：程兴奎,,
来源：山东大学学报(自然科学版) 年份：1988
本文报导了将稀土元素钇(Y)掺入非晶硅中的实验结果。在含有氢气的氩气中由射频溅射获得了掺钇的α—Si:H 薄膜,热探针测试表明样品为 n 型,室温(300K)直流电导率最大值为6×...
[期刊论文] 作者：程兴奎,黄柏标,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ＾－１处的几个吸收峰。认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致。......
[期刊论文] 作者：程兴奎,黄柏标,
来源：山东电子 年份：1995
ＧａＡｓ量子阱红外探测器的光学性质程兴奎，黄柏标，徐现刚，刘士文，任红文，蒋民华１９８９年，美国贝尔实验室首次用ＭＢＥ制出８－１２μｍ宽带ＧａＡｓ量子阱红外探测器￣［１］，这种器件较ＨｇＣｄＴｅ探测器有许多优点，因而引起人们极大的兴趣和......
[期刊论文] 作者：张淑芝,程兴奎,
来源：红外与毫米波学报 年份：1991
用反射消光式椭圆偏振光谱研究了射频溅射法制备的不同衬底温度和不同掺钇浓度下的α-Si:H(Y)膜在可见光区的光学性质,结果与透射谱一致。由红外吸收谱判断膜中氢含量和存在...
[期刊论文] 作者：程兴奎,CHINV．W．L．,OSOTCHANT．,TANS,
来源：无机材料学报 年份：1998
在调制掺杂（Ｓｉ）Ａｌ０．２７Ｇａ０．７３Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱的光致发光谱中，观察到一个强发光峰及多个低能弱发光峰，强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Ｖｏｉｇｔ函数拟合，低能弱峰是势......
[期刊论文] 作者：程兴奎,周均铭,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在Ｔ＝７７Ｋ，测量了ＧａＡｓ多量子阱的光电流，发现在ｖ＝１３１２ｃｍ＾－１附近存在一个强电流峰，并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰，强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的，而弱峰与最子阱势垒以......
[会议论文] 作者：程兴奎,余亦舜,
来源：中国金属学会第一届中国材料科学研讨会 年份：1986
...
[期刊论文] 作者：程兴奎,余亦舜,
来源：无机材料学报 年份：1988
本文报导了将稀土元素钇(Y)掺入非晶硅中,获得了一种新的 a-Si∶H(Y)材料的实验结果。实验证明掺钇的 a-Si∶H 材料较 a-Si∶H 合金电阻率显著下降,当掺钇浓度达8%时,材料的...
[期刊论文] 作者：程兴奎,余亦舜,
来源：材料科学进展 年份：1987
一种新的掺稀土元素钇(Y)的a-Si:H 材料已被研制出来。该材料的电导率随掺 Y浓度而改变,当掺 Y 浓度约10~(2)时,a-Si:H(Y)的室温直流电导率达到10一~(-1)Ω~(-1)cm~(-1)较 a...
[期刊论文] 作者：程兴奎,周均铭,等,
来源：量子电子学报 年份：2001
测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T＝77K时的光电流谱，发现在波数～↑υ=1589cm^-1存在一个强电流峰，理论分析认为，该电流峰与超晶格界面的电子反射有关，据此算出的电流峰位置与实验观测结......
[期刊论文] 作者：程兴奎, 周均铭, 黄绮,,
来源：中国科学(A辑) 年份：2001
从电子波动的观点出发,考虑电子波在超晶格阱层/势垒层界面的反射与干涉,讨论超晶格的电子态.提出一种计算超晶格电子态的新方法.理论计算出的电子能态与实验结果一致....
[期刊论文] 作者：连洁,王青圃,程兴奎,
来源：半导体光电 年份：2002
根据子带跃迁的量子力学选择定则,量子阱红外探测器对垂直于阱层的辐射无响应,只有利用光耦合模式,把正入射的光束转变成量子阱可吸收的形式,红外探测器的量子效率才能提高....
[期刊论文] 作者：程兴奎,周均铭,黄绮,
来源：半导体光电 年份：2001
根据电子干涉理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子，由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时，量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上，在外电场......
[期刊论文] 作者：程兴奎,周均铭,黄绮,
来源：山东大学学报：理学版 年份：2001
在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13 156 cm-1和ν=12 289 cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子...
[期刊论文] 作者：程兴奎,周均铭,黄绮,
来源：物理学报 年份：2001
在温度T =77K ,测量了GaAs/AlGaAs超晶格的光电流 ,观测到在ν =15 89cm-1有一个强电流峰 ,而在ν =1779,2 12 9和 2 40 1cm-1附近存在弱电流峰 .分析认为 ,这些电流峰与电子...
[期刊论文] 作者：程兴奎,周均铭,黄绮,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm－1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形...
[期刊论文] 作者：程兴奎,CHINV．W．L．,OSOTCHANT．,TANSYEYT．L．,VAUGHANM．R．,GRIFFITHSG．J．,
来源：无机材料学报 年份：1998
在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形......
相关搜索：
