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[会议论文] 作者：章晓中,,
来源： 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：章晓中,,
来源：功能材料信息 年份：2007
发明了一类新型磁阻材料——沉积于硅基片上的金属掺杂的纳米半导体非晶碳基薄膜材料,它们具有优异的低场磁电阻效应,在磁场为2.388×10~4A/m时,磁阻可达30%以上,灵敏度...
[期刊论文] 作者：章晓中,,
来源：散文百家（下） 年份：2016
数学教学要求紧密联系学生的生活实际,从学生的生活经验和已有知识出发,创设各种情境,为学生提供从事数学活动的机会,激发对数学的兴趣以及学好数学的愿望.建构主义学习理论...
[会议论文] 作者：章晓中;,
来源：2006年全国首届电磁材料及器件学术会议 年份：2006
任何物质在磁场下,它的电阻会改变,这称为磁电阻现象,这种磁电阻称为普通磁电阻(OMR),它的磁电阻率(MR)为正,大小一般小于2﹪,且具有MR正比于磁场平方的关系.1988年以来,人们相...
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：第十五届全国磁学和磁性材料会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：章晓中,
来源：第十四届全国磁学和磁性材料学术会议暨第二届全国磁热效应材料和磁制冷技术学术研讨会 年份：2011
文章利用磁电阻效应设计了一种硅基MR原型器件。此硅基MR器件可以在同一器件上在弱磁场和强磁场下用作磁传感器，而巨磁阻材料和有机磁组材料制备的磁传感器只能工作在弱磁......
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
磁传感器广泛应用于计算机读出磁头、电子罗盘、GPS导航、车辆探测系统等,其核心技术就是巨磁阻效应,该效应的发明人获2007年诺贝尔物理奖.通过在硅材料里面引入p-n结来改变...
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：章晓中,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
磁传感器广泛应用于计算机读出磁头、电子罗盘、GPS导航、车辆探测系统等,其核心技术就是巨磁阻效应,该效应的发明人获2007年诺贝尔物理奖.通常巨磁阻材料是用磁性金属材料制备的,半导体材料虽然也可以有磁电阻,但是数值太小,没有应用价值.......
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：中国物理学会2011年秋季学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：章晓中,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
众所周知，磁性材料的磁电阻可以在1mT 的低磁场下达到 600％，而半导体材料的磁电阻虽然可以高达 10000％，但是需要几十mT 的较大的磁场，能否在1mT 的低磁场下达到10000％的超大磁阻？我们结合磁性材料的反常霍尔效应和半导体二极管的非线性效应，在PMA 材料(Ta/CoFeB/MgO)上制......
[会议论文] 作者：章晓中,
来源：2014中国功能材料科技与产业高层论坛 年份：2014
以2007年诺贝尔物理奖得主Fert和Grtünberg在1988年发现的巨磁电阻(GMR)效应为开端,国际上掀起了自旋电子学的研究高潮,廿一世纪以来自旋电子学的研究重点向半导体自旋电子学转移.我们发明了用硅制备的二极管辅助的几何增强磁电阻器件,该器件在0.06特斯拉和7特......
[期刊论文] 作者：栗粟,章晓中,,
来源：人工晶体学报 年份：2011
使用无催化剂热蒸发法,在ZnO/Si薄膜衬底上制备了ZnO纳米线/纳米棒混合阵列。其中,纳米线的直径为10~20 nm,纳米棒的直径为60~160 nm,二者混合在一起垂直生长于衬底表面。从...
[会议论文] 作者：栗粟,章晓中,
来源：第四届全国氧化锌学术会议 年份：2009
本文给出了一种无催化剂直径可控制备小尺寸ZnO纳米线阵列的方法，提出在用自催化气一掖一固机制合成ZnO纳米线的过程中，Zn蒸气过饱和度是决定纳米线直径的关银因素。...
[会议论文] 作者：姜凝,章晓中,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
六方HoMnO3 是一种同时具有铁电性和反铁磁性的多铁性材料,它潜在的应用前景使其在近年来引起了科学界的广泛关注.本文通过经典的原子模拟技术对六方HoMnO3 晶体中的各种本征...
[期刊论文] 作者：张成国,章晓中,,
来源：物理学报 年份：2008
运用原子模拟技术考察了La1-xCaxMnO3(x≤1/3)中Ca的分布,发现低温下掺杂的Ca离子倾向于团簇化分布,形成纳米尺度的团簇.对加压和温度下团簇的稳定性也进行了研究,发现这种团...
[会议论文] 作者：章晓中,刘军,
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
我们采用了直接物理蒸发法制备了直径在50nm以下,在毫米大小区域内均匀分布的高纯度的ZnO纳米线膜层.所得ZnO纳米线大部分沿[0001]方向生长.我们研究了各实验参数对产物的影响,提出了分三步进行的VS生长机制.并应用类似方法制得了金属In纳米线,说明在该VS生长机......
[期刊论文] 作者：王立晟,章晓中,
来源：电子显微学报 年份：2005
本实验采用简单物理气相沉积(PVD)的方法,直接蒸发Zn粉末,在ZnO(001)取向薄膜衬底上制备出整齐排列的ZnO纳米线阵列,与已有的报道不同,该方法不含任何催化剂或者添加剂.实验...
[期刊论文] 作者：章晓中,薛庆忠,,
来源：稀有金属 年份：2006
利用激光脉冲沉积（PLD）方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻（MR）可正可负，随温度而变化。当温度T〈258K时，Fe0．011-C0.989／Si的M...
[期刊论文] 作者：曾凡浩,章晓中,,
来源：物理学报 年份：2007
用脉冲激光沉积(PLD)的方法在硅单晶基片上制备了Ti90Cr10和Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜,用XRD研究了Ti90Cr10薄膜的晶体结构与制备温度的关系,结果表明随着温度升高,薄膜从非晶态...
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