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[期刊论文] 作者：Upsh.,JI,范进先,
来源：半导体情报 年份：1993
介绍了低损耗反射型模拟移相器电路并报道了实验结果。这个电路集几个设计特征为一体,在X波段产生线性360°相移并且实现在所有相位状态下插损仅4.8dB,变化±0.5dB。...
[期刊论文] 作者：Yasuo Lshirara,范进先,,
来源：半导体情报 年份：1982
报导了384(水平)×490(垂直)单元行间转移CCD摄象传感器(ED-500)。该器件采用灵敏的p-n~+结光电二极管、有大的电荷处理能力的CCD寄存器、低噪声电荷检测器和精细的隔行扫描...
[期刊论文] 作者：J.I.Upshur,范进先,贾朝辉,,
来源：半导体情报 年份：1993
介绍了低损耗反射型模拟移相器电路并报道了实验结果。这个电路集几个设计特征为一体,在X波段产生线性360°相移并且实现在所有相位状态下插损仅4.8dB,变化±0.5dB。这些结果...
[期刊论文] 作者：陈义飞,贾朝辉,范进先,,
来源：半导体情报 年份：1993
简要介绍了频率从几兆赫至几千兆赫各种集成压控移相器的结构、特点及其在系统中的应用。...
[期刊论文] 作者：王长河, 俞钰, 沈熙磊, 范进先, 姚海伦,
来源：半导体情报 年份：1978
...
[期刊论文] 作者：A.A.Tanielian,王长河,俞钰,沈熙磊,范进先,姚海伦,,
来源：半导体情报 年份：1978
一、导言 1.1 设计方案的目的本文的目的是研制一种在960～1215兆赫下输出峰值微波功率为1000瓦的宽带工作的放大器,该放大器是采用输出峰值功率为250瓦的四个晶体管并联...
[期刊论文] 作者：王炳雪,沈熙磊,范进先,顾召成,俞忠钰,,
来源：半导体情报 年份：1981
选用三相三层多晶硅交叠栅结构制作了108×100位,300×230位、512×320位面阵和1024位线阵 CCD 摄象器件。介绍了这种结构的特点、设计考虑和工艺过程,叙述了几种器件的结构...
[期刊论文] 作者：杨培根,贾长友,过帆,范进先,由中强,王炳雪,,
来源：半导体情报 年份：1990
本文简述硅单片集成高速电路在大容量、高速光纤通信中的应用及目前国际上几种高比特速率AGc放大器的研究情况;并介绍我们针对622Mb/s光接收机对AGC放大器的要求,用SPICE-Ⅱ...
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