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[学位论文] 作者：董业民,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2004
近年来，SOI技术已经发展成为制造ULSI集成电路的主流技术之一。但是，SOI器件存在着浮体效应和自热效应。另外，为了获得功能更强大、价格更低廉的芯片，在SOI衬底上集成多种功能（如......
[学位论文] 作者：董业民,
来源： 年份：2001
本论文主要研究了Ge-SiO_2薄膜的光致发光（PL）和电致发光（EL）性质，讨论了可能的发光机理。采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO_2薄膜，随后在N_2中进行不同温度的退火。用XRD、TEM、FTIR、XPS等测试方法对薄膜的微结构进行了表征。600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒......
[学位论文] 作者：董业民,
来源：山东大学 年份：2000
金刚石圆锯是石材锯切加工中应用最为广泛的工具.针对目前使用中的普通结构锯片存在径向锯切力大、排屑冷却困难而造成锯片体寿命低、锯切质量差、节块磨损严重等问题,该课题...
[期刊论文] 作者：林羲,董业民,等,
来源：半导体学报 年份：2003
通过局域注氧工艺，在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI三种结构的器件，通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性，模拟和测量的结果证明DSOI器件与SOI器件相比，具有衬底热阻较......
[期刊论文] 作者：诸葛兰剑,吴雪梅,董业民,孙建平,,
来源：苏州大学学报（自然科学版） 年份：2004
实验通过球磨α-Fe和脲的混合粉末,制得α′-Fe(N)超细粉末,N原子含量为8.8at%,饱和磁化强度σs为242.7emu/g.样品经160℃真空退火4小时,α＇-Fe(N)相部分转变为α“-Fe16N12相...
[期刊论文] 作者：刘海静,王正,单毅,董业民,
来源：半导体技术 年份：2021
针对航天电子控制系统对集成电路的抗辐射需求,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的全新架构的专用集成电路(ASIC)抗辐射性能评估系统.该系统基于FPGA 高性能、高速度、...
[期刊论文] 作者：诸葛兰剑,吴雪梅,董业民,姚伟国,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
详细介绍了有关α″-Fe16N2相的研究结果,对α″-Fe16N2相的"巨磁矩"特性进行了全面评述....
[会议论文] 作者：董业民,吴雪梅,诸葛兰剑,姚伟国,
来源：全国薄膜学术讨论会 年份：1999
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[会议论文] 作者：董业民,吴雪梅,诸葛兰剑,姚伟国,
来源：全国薄膜学术讨论会 年份：1999
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[期刊论文] 作者：周宗坤, 黄水根, 董业民, 林敏,,
来源：国防科技大学学报 年份：2018
针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0.13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50MS/s采样率的...
[期刊论文] 作者：诸葛兰剑,吴雪梅,董业民,孙建平,姚伟国,
来源：功能材料 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：诸葛兰剑,吴雪梅,董业民,孙建平,姚伟国,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：诸葛兰剑,吴雪梅,董业民,孙建平,姚伟国,
来源：材料科学与工艺 年份：1999
通过球磨α－ Ｆｅ 和脲的混合粉末，制得α′－ Ｆｅ（Ｎ） 超细粉末．使用Ｘ 射线衍射仪（ＸＲＤ） 、透射电镜（ＴＥＭ） 和热失重（ＴＧＡ） 分析了在真空条件下经１３０ ｈ 和２００ ｈ 球磨后的粉末样品的结构和性能．结果表明，经１３０ ｈ 球磨后开始得到......
[期刊论文] 作者：常永伟,余超,刘海静,王正,董业民,
来源：国防科技大学学报 年份：2020
针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并...
[期刊论文] 作者：陶凯,董业民,易万兵,王曦,邹世昌,
来源：半导体学报 年份：2005
利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备．在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下，可以得到间隔为180nm的埋氧层．通...
[期刊论文] 作者：乔冰涛,吴旭凡,刘海静,王正,董业民,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：2020
集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径...
[期刊论文] 作者：卢仕龙,刘汝萍,林敏,俞跃辉,董业民,,
来源：半导体技术 年份：2017
基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准...
[期刊论文] 作者：齐文正,林敏,杨根庆,董业民,黄水根,,
来源：半导体技术 年份：2017
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSF...
[期刊论文] 作者：陈静,王湘,董业民,郑志宏,陈猛,王曦,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料。测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料。...
[期刊论文] 作者：王俊,董业民,邹欣,邵丽,李文军,杨华岳,,
来源：半导体技术 年份：2008
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一...
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