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[期刊论文] 作者：董亮初,
来源：红外 年份：1994
1993年11月29日中国科学院上海分院受国家科委863-308专家组委托,主持了中国科学院上海技术物体研究所研制的“3～5μm红外小光点焦平面测试系统”的评审。该系统是“红外焦平...
[会议论文] 作者：丁慧,董亮初,
来源：全国固体摄像器件学术交流会 年份：1986
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[期刊论文] 作者：丁慧,董亮初,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
在反偏、无光照、室温条件下测量了PiN硅光二极管(其光谱响应从0.4～1.2μm)中的电流噪声频谱。利用硅光二极管与高阻低噪声前置放大器的最佳组合法,在美国H-P3585A频谱分析仪...
[期刊论文] 作者：董亮初,唐红兰,
来源：红外研究 年份：1990
提出用均方根偏差度来表征CCD摄象器件光敏元响应的不均匀度,理论分析了不均匀度测量对转移效率测量的依赖关系,得出一种精确测定不均匀度及转移效率的新方法,建立了测量系统...
[会议论文] 作者：董亮初,丁瑞军,
来源：第十二届全国红外科学技术交流会 年份：1996
对以自积分模式工作的线列焦平面读出电路的噪声进行了分析，并对研制的２２元、２４元、３２元、６４元器件读出电路的噪声进行了测试，结果表明，良好工艺制成的电路，其主要噪声源为ＫＴＣ噪声，实测的数据......
[会议论文] 作者：董亮初,丁瑞军,
来源：第十二届全国红外科学技术交流会 年份：1996
该文通过对比焦平面与单元探测器的结构和工作模式的不同，讨论了焦平面的参数量纲、“空间噪声”和“２－Ｄ〈’＊〉；以及焦平面参数的测试方法，尤其是噪声的测试方法，与单元探测器有很大......
[会议论文] 作者：唐红兰,董亮初,陈敏辉,
来源：全国固体摄像器件学术交流会 年份：1986
该文提出以光响应的均方根偏差对平均响应的比值，即均方根偏差度σ及平均响应的最大偏差度δ[*vmax*]来表征CCD（电荷耦合器件）光响应的不均匀度，并建立了相应的测量方法和测量系......
[期刊论文] 作者：董亮初,唐红兰,陈敏辉,
来源：红外研究 年份：2004
提出用均方根偏差度来表征CCD摄象器件光敏元响应的不均匀度,理论分析了不均匀度测量对转移效率测量的依赖关系,得出一种精确测定不均匀度及转移效率的新方法,建立了测量系统...
[期刊论文] 作者：吴作良,陈敏挥,董亮初,,
来源：计量技术 年份：1989
照相机用蓝硅光电二极管的光谱响应必须符合人眼的视觉函数。本文采用紫外敏感的D2型硅光电二极管作为测量光强的探测器,并与标准器件的光谱响应进行比对的办法,选择闪耀波...
[会议论文] 作者：董亮初,丁瑞军,唐红兰,陈世军,梁平治,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
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[会议论文] 作者：梁平治,陈世军,唐红兰,丁瑞军,董亮初,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
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[期刊论文] 作者：董亮初,丁瑞军,何震凯,唐红兰,陈世军,
来源：红外与激光工程 年份：1997
通过对比焦平面与单元探测器结构和工作模式的不同，提出了焦平面的参数量纲、“空间噪声”和“2－D*”等问题的讨论，以及焦平面参数的测试方法，尤其是噪声的测试方法，与单元探测器......
[期刊论文] 作者：刘颖,龚晓斌,董亮初,梁平治,由中强,万光毅,
来源：光电工程 年份：1992
1988年11月24-27日,在苏州召开的“第二届全国固体摄象器件与应用技术学术讨论会”上,学部委员汤定元先生等人根据发展我国固体摄象器件的需要,提议建立CCD特性参数测试方法。经代表们讨论,在会议纪要中写道“建议首先建立一个文本来统一CCD的参数定义和标准测......
[会议论文] 作者：江美玲,梁平治,张学敏,董亮初,丁瑞军,唐红兰,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
用于焦平面的读出电路是新研制的ISM64×64—2型电路，它是采用自积分读出模式工作的ISM64×64—1型电路的改进型。ISM64×64—2型电路采用直接注入读出模式工作。用这种方式工...
[会议论文] 作者：唐红兰,丁瑞军,董亮初,张学敏,梁平治,江美玲,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
用于焦平面的读出电路是新研制的ISM64×64—2型电路，它是采用自积分读出模式工作的ISM64×64—1型电路的改进型。ISM64×64—2型电路采用直接注入读出模式工作。用这种方式工...
[期刊论文] 作者：吴作良,梁平治,董亮初,凌裕农,董建民,王留福,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管是短波红外CCD和焦平面的光敏元,利用成熟的硅大规模集成电路工艺可以把它和信息处理电路做在同一芯片上,因此,易于做成高密度多象元的器件。...
[期刊论文] 作者：任迪运,张玲珊,瞿则涛,严荣良,董亮初,王缙,吴作良,
来源：核电子学与探测技术 年份：1987
本文报道了150光敏元表面n沟CCD(电荷耦合器件)在不同能量电子和γ射线辐照后的电离辐射效应。试验结果表明,转移失效率在≤10Gy时已明显增大。但大多数器件在累积剂量≤50Gy...
[期刊论文] 作者：李杰,王缙,董亮初,严荣良,余学锋,张玲珊,陆妩,米拉提汗,
来源：核电子学与探测技术 年份：1990
本文以简单的MOS电容为手段,研究CCD工艺,以提高器件的抗电离辐射能力。研究发现,栅氧化温度、SiO_2栅介质厚度和CCD工艺中栅氧化以后的高温过程对辐照性能的影响最大;并提出...
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