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[学位论文] 作者：贾宏勇,
来源：清华大学 年份：2004
该论文开展了从外延材料到低电压微波功率器件的研制的一系列研究的工作.为了开发自有知识产权的产业资源,必须首先解决SiGe材料外延的困难.经过对高真空化学气相淀积设备的...
[期刊论文] 作者：贾宏勇,朱文斌,
来源：半导体学报：英文版 年份：2000
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[期刊论文] 作者：刘志农,贾宏勇,等,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了硼烷（H2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至10619mc^-3的多层阶梯结构，......
[期刊论文] 作者：贾宏勇,刘志农,等,
来源：半导体学报 年份：2002
报道了一种性能良好的SiGe功率放大器，具有用于无线通信的前景，在B类模式下工作时，输出功率可以达到30dBm，在AB类模式下，电源电压为4V工作时，1dB压缩点输出功率（P1dB)(为24dBm，输出功......
[期刊论文] 作者：贾宏勇,孙自敏,
来源：半导体情报 年份：1999
Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料具有许多优良的性质，高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到Ⅳ族器件之中。外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ基区的异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）获得了优良的性能，并且，其具有可以同硅工艺兼容的优点，把Ｓｉ１－ｘＧｅｘ同......
[期刊论文] 作者：贾宏勇,林惠旺,等,
来源：半导体学报 年份：2001
采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料。通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料。Ge组分可以变化至0.25，可以得到控制良好的n......
[期刊论文] 作者：贾宏勇,潘宏菽,等,
来源：半导体学报 年份：2001
给出了低电压微波SiGe功率导质结双极晶体管（HBT）的器件结构和测试结果，器件结构适于低压大电流状态下应用，采用了梳状发射极条的横向版图设计，其工作电压为3－4V，在C类工作状态，1GHz......
[期刊论文] 作者：贾宏勇,刘志农,李高庆,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2004
报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm...
[期刊论文] 作者：贾宏勇,刘志农,李高庆,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2002
报道了一种性能良好的 Si Ge功率放大器 ,具有用于无线通信的前景 .在 B类模式下工作时 ,输出功率可以达到 30 d Bm.在 AB类模式下 ,电源电压为 4 V工作时 ,1d B压缩点输出功...
[期刊论文] 作者：贾宏勇,林惠旺,陈培毅,钱佩信,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料．通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料．Ge组分可以变化至0.25，可以得到控制良好的n型和p......
[期刊论文] 作者：贾宏勇,林惠旺,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2004
采用新近研制的高真空 /快速热处理 /化学气相淀积 (HV/ RTP/ CVD)系统生长了应变 Si Ge材料 .通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料 .Ge组分可以变化至 0 .2 5 ,可...
[期刊论文] 作者：贾宏勇,朱文斌,刘志农,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2000
The microwave SiGe Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) were fabricated by the material grown with home|made high vacuum/rapid thermal processing chemical v...
[期刊论文] 作者：钱伟,张进书,贾宏勇,林惠旺,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2000
利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析 ,并把器件的网络...
[期刊论文] 作者：钱伟,张进书,贾宏勇,林惠旺,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2000
利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6...
[期刊论文] 作者：孟祥提,王吉林,黄强,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2007
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si...
[期刊论文] 作者：康爱国,孟祥提,王吉林,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,
来源：半导体技术 年份：2002
比较了经剂量为400 krad(Si)的Y射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化.通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也...
[会议论文] 作者：孟祥提,黄强,王吉林,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiG...
[期刊论文] 作者：刘志农,贾宏勇,罗广礼,陈培毅,林惠旺,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了硼烷 (B2 H6 )掺杂锗硅外延和磷烷 (PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系 .B浓度与 B2 H6 流量基本上成正比例关系 ;生长了 B浓度直至 10 1 9cm-...
[期刊论文] 作者：朱培喻,陈培毅,黎晨,罗广礼,贾宏勇,刘志农,钱佩信,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法,方法是非破坏的.并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品,它们都是用UHV/CVD设备生长的.其...
[期刊论文] 作者：贾宏勇,陈培毅,钱佩信,潘宏菽,黄杰,杨增敏,李明月,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V.在C类工作...
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