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[学位论文] 作者：邱永鑫,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2008
GaSb/GaAs薄膜及InAs/GaSb超晶格等GaSb基材料作为重要的光电功能材料在中远红外探测等领域展现出了极大的应用前景。本文主要研究了GaAs衬底上GaSb薄膜及InAs/GaSb超晶格材...
[期刊论文] 作者：邱永鑫,
来源：读与写 年份：2021
有效的教学是促进学生有效学习的前提条件。因此，强调教学的有效性,可以使教师更注重学生的学习,注重课堂教学中的时效性,使得教师在教学过程中不断反思自己。教师的教学行动...
[期刊论文] 作者：邱永鑫,廖杰,,
来源：理化检验(化学分册) 年份：2014
用高温X射线衍射法(XRD)研究了珍珠粉及贝壳粉中碳酸钙的相变过程。结果表明:随着试验温度的升高,上述2种样品均发生文石型向方解石型的相变,但相变程序不同;当温度从室温升...
[期刊论文] 作者：邱永鑫,李美成,赵连城,,
来源：功能材料 年份：2005
介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象.同时,总结了分子束外延生长过程中控制In...
[期刊论文] 作者：李美成,邱永鑫,李洪明,赵连城,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2005
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3...
[期刊论文] 作者：邱永鑫,李美成,熊敏,张宝顺,刘国军,赵连城,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
利用分子束外延（MBE）技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射（HRXRD）技术对Sb/As交换反应进行研究。实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速...
[会议论文] 作者：史建平,曾雄辉,韩佰祥,邱永鑫,徐科,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
稀土掺杂氮化镓有非常广泛的应用,如波导,光涂层,光电子器件等.我们通过将氧化镓和氧化铕固相粉末混合后通氨气氮化的方法研究了氮化镓掺铕的特性.掺杂铕的浓度分别控制...
[会议论文] 作者：黄凯;邱永鑫;赵庆欢;曾雄辉;张智军;张锦平;,
来源：2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会 年份：2010
@@本文通过对NaCI及牛血清白蛋白(BSA)样品的电子束诱发CL光谱的测定和分析，探索一种研究生物样品微观结构的新方法。实验所用测试仪器为FEI Quanta 400 FEG热场发射扫描电镜，...
[期刊论文] 作者：熊丽,李美成,邱永鑫,张保顺,李林,刘国军,赵连城,,
来源：功能材料 年份：2008
采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaS...
[期刊论文] 作者：熊丽,李美成,邱永鑫,张保顺,李林,刘国军,赵连城,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
研究了用分子束外延（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺。为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度，采用低温GaSb作为缓冲层，有效降低了外延层中的位错密度，提高了晶体质量。......
[期刊论文] 作者：熊丽,李美成,邱永鑫,张保顺,李林,刘国军,赵连城,,
来源：功能材料 年份：2007
用分子束外延（MBE）法在GaAs（100）衬底上生长GaSb薄膜，得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件。为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度，采扁低温（LT）GaSb作为缓冲层，研究了缓冲层的生长......
[期刊论文] 作者：熊丽,李关成,邱永鑫,张保顺,李林,刘国军,赵连城,
来源：功能材料 年份：2008
采用分子束外延（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜，为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度，采用低温GaSb作为缓冲层。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出，当低温GaSb缓冲......
[会议论文] 作者：曾雄辉,黄俊,黄凯,邱永鑫,张锦平,王建峰,徐科,
来源：2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会 年份：2010
@@阴极荧光（Cathodoluminescence.CL，如图l示）和电子束诱导感生电流(Electron beam inducedcurrent.EBIC)是通常安装在场发射扫描电镜上的两个附件。由于目前场发射扫描电镜的电...
[会议论文] 作者：郭洪英,张伟,孙元平,周桃飞,邱永鑫,张宝顺,徐科,杨辉,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文利用醋酸锌-KOH体系利用单步水热法合成了ZnO粉体结构.在保持其它生长条件一致的情况下,通过不同的生长时间得到了双六角盘状的ZnO晶体.XRD结果表明,合成的ZnO具有良好的...
[会议论文] 作者：黄俊,王建峰,徐科,张纪才,周桃飞,邱永鑫,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：史建平[1]曾雄辉[2]韩佰祥[3]邱永鑫[2]徐科[2],
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
稀土掺杂氮化镓有非常广泛的应用,如波导,光涂层,光电子器件等.我们通过将氧化镓和氧化铕固相粉末混合后通氨气氮化的方法研究了氮化镓掺铕的特性.掺杂铕的浓度分别控制...
[会议论文] 作者：黄俊,张纪才,周桃飞,邱永鑫,王建峰,徐科,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
...
[期刊论文] 作者：姚晶晶,任国强,李腾坤,苏旭军,邱永鑫,许磊,高晓冬,徐科,
来源：人工晶体学报 年份：2020
籽晶的表面损伤会导致后续生长的晶体位错增多。为了降低籽晶表面的损伤,通常采用粗磨-精磨-抛光的多步过程处理的晶片作为籽晶,工艺步骤多、复杂,成本高。本文采用磷酸去除...
[期刊论文] 作者：王志高,曾雄辉,牛牧童,邱永鑫,蔡德敏,王建峰,徐科,张锦平,,
来源：电子显微学报 年份：2012
纤锌矿（WZ）/闪锌矿（ZB）结构以及WZ/ZB超结构广泛存在于一维Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中。本文采用TEM和CL（阴极荧光谱）准原位表征的方法,对GaN纳米线的各种结构进行了系统的表征,并且建立......
Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray dif
[期刊论文] 作者：郭希,王玉田,赵德刚,江德生,朱建军,刘宗顺,王辉,张书明,邱永鑫,徐科,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
This paper investigates the major structural parameters,such as crystal quality and strain state of (001)-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates b...
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