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[学位论文] 作者：郑显通,,
来源：重庆师范大学 年份：2012
GaN基半导体具有较宽的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强等优异性能，是目前发展高频、高温、高功率电子器件以及光电子器件的优选材料体系。本文......
[学位论文] 作者：郑显通,,
来源：大连理工大学 年份：2018
高质量材料的制备,对基础学科的发展及器件制备至关重要。为实现高质量氮化物材料的外延生长,需要不断探索材料生长动力学、热力学规律,并为器件结构设计提出指导性的方针建...
[期刊论文] 作者：吴国盛,郑显通,,
来源：中国集成电路 年份：2016
首先这里介绍一款新的EDA设计软件Robei。Robei支持以Verilog为基础的数字电路及FPGA设计,它将图形化的设计界面和代码设计界面结合在一起,融合了图形界面的直观性和代码设计...
[会议论文] 作者：郑显通,马定宇,王新强,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
Ⅲ族氮化物作为一种新的光电功能材料的半导体,因其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、介电常数小、抗辐射以及组成合金后的宽发光光谱的优异特性,吸引了越来越多的注意力...
[期刊论文] 作者：郑显通,陈涛,陈柏纲,吴国盛,,
来源：中国集成电路 年份：2017
MIPI协议是现在手机常用的一种开放的高速串行通信协议,本文以Robei软件为依托,重点介绍其结构,应用与数字IC部分的实现。虽然该协议存在细分的DSI、CSI等针对不同外设的通信...
[期刊论文] 作者：郑显通,苑进社,李瑶,刘帆,,
来源：重庆理工大学学报(自然科学) 年份：2012
用分子束外延技术制备了厚度为0.8μm的GaN样品。采用反射高能电子衍射、原子力显微镜和高分辨率X光衍射仪对样品进行了表征分析。研究发现：样品中刃位错密度为2.2×1010c...
[会议论文] 作者：荣新,王新强,陈广,郑显通,沈波,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：王新强,郑显通,王平,马定宇,T.Schulz,M.Albrecht,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39 eV至0.64 eV可调,其波长覆盖了深紫外至近红外波段,这使其在发射波长高度可调的光电器件方面具有很大的应用价值.然而,热力学相的不稳定...
[会议论文] 作者：郑显通,王新强,马定宇,陈广,沈波,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：王新强,刘世韬,马楠,郑显通,沈波,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
作为Ⅲ族氮化物半导体的一员,自被发现为窄禁带半导体后,InN引起了研究人员的广泛兴趣.然而,因为生长温度和晶格两方面的大失配,使得InN的外延生长极为困难,生长的InN的背景...
[会议论文] 作者：郭磊,王新强,郑显通,葛惟锟,沈波,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
InN作为三族氮化物中的窄带隙半导体极大地扩展了三族氮化物的带隙覆盖范围(0.63eV-6.2eV),而且InN的高电子迁移率和P型掺杂的实现使得其在电子器件中也有巨大的应用潜质....
[会议论文] 作者：王平;王新强;郑显通;陈广;荣新;沈波;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
在过去的几年里,Ⅲ族氮化物纳米材料因为其在纳米太阳能电池、纳米LED、纳米生化探测器和单光子发射器件[1]等方面的广阔应用前景而备受关注.目前,Ⅲ族氮化物纳米柱的生...
[期刊论文] 作者：李瑶,郑显通,刘帆,蒋一翔,邹祥云,苑进社,,
来源：重庆理工大学学报(自然科学) 年份：2012
研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延A1N薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现：随着生长温度的提高，RHEED条纹更加纤细、更加细锐；在低温下，A1......
[期刊论文] 作者：李瑶,郑显通,刘帆,蒋一翔,邹祥云,苑进社,
来源：重庆理工大学学报：自然科学 年份：2004
研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延A1N薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现：随着生长温度的提高，RHEED条纹更加纤细、更加细锐；在低温下，A1......
[会议论文] 作者：郑显通;王新强;马定宇;荣新;王平;沈波;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
Ⅲ族氮化物因其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、介电常数小、抗辐射以及组成合金后的宽发光光谱的优异特性,吸引了越来越多的注意力,在光电子器件以及微电子领域有着越...
[会议论文] 作者：王光兵,王新强,郑显通,陈广,荣新,沈波,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：王新强,郑显通,王平,马定宇,沈波,T.Schulz,M.Albrecht,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39 eV 至0.64 eV 可调，其波长覆盖了深紫外至近红外波段，这使其在发射波长高度可调的光电器件方面具有很大的应用价值.然而，热力学相的不稳定性导致相分离的出现，并引发大量结构缺陷，使得高晶体质量的InGaN 薄膜很难实现，尤其是中间In......
[会议论文] 作者：王平,王新强,周平,陈广,郑显通,荣新,沈波,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
本文阐述了利用分子束外延生长InN纳米棒，提出了一种新颖的纳米棒生长方法，通过此方法获得了直径均匀的InN纳米棒。利用纳米压印技术获得了图形化的GaN/Sapphire衬底。然后，利用...
[会议论文] 作者：王新强,刘世韬,郑显通,马定宇,陈广,沈波,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：王新强,王平,刘世韬,郑显通,马定宇,沈波,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2015
Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43 e V(Ga N)到0.64e V(In N)连续可调,波长范围覆盖了0.3–1.9μm,具有电子饱和速度高和光学吸收系数大等特点,是制备高效率全光谱太阳能电池和白光照明器件的理想材料.由于缺少合适的衬......
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