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[期刊论文] 作者：邴浩, 鄂炎雄, 朱彤,,
来源：学校党建与思想教育 年份：2019
文章基于某高校持续采集的大学生基础信息调研数据,对"90后"大学生群体的基本特征及典型群体间的差异进行了系统分析,研究表明":90后"大学生在全球化和信息化快速推进的环境...
[期刊论文] 作者：贾曦,鄂炎雄,铁强,
来源：高校辅导员 年份：2018
习近平总书记在全国高校学生思想政治工作会议上提出了“四个正确认识”，为高校组织开展大学生社会实践，扎实推进社会实践育人指明了方向。为更好地推进社会实践育人，高校要加强......
[期刊论文] 作者：余潇潇,鄂炎雄,朱小亮,
来源：高校辅导员 年份：2018
高校承担着创新人才培养的重要使命,而第二课堂是创新人才培养的重要延伸。清华大学“星火班”经历了探索、革新和稳定发展三个不同阶段,形成了一系列立足第二课堂针对学术创...
[会议论文] 作者：钮浪,胡健楠,鄂炎雄,郝智彪,汪莱,罗毅,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
由于氮化物半导体材料在电子以及光电子器件的广泛应用,硅衬底上外延Ⅲ族氮化物半导体越来越引起学术界和产业界的重视.由于硅衬底本身是非极性的,在硅衬底上外延氮化物半导...
[会议论文] 作者：胡健楠,钮浪,胡懿彬,鄂炎雄,郝智彪,汪莱,罗毅,
来源：中国真空学会2012学术交流会 年份：2012
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[期刊论文] 作者：鄂炎雄,郝智彪,余佳东,吴超,汪莱,熊兵,王健,韩彦军,孙长征,罗毅,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
GaN and AlN nanowires(NWs) have attracted great interests for the fabrication of novel nano-sized devices. In this paper, the nucleation processes of GaN and Al...
[会议论文] 作者：余佳东;吴超;罗毅;郝智彪;王健;汪莱;鄂炎雄;孙长征;韩彦军;熊兵;李洪涛;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
GaN基半导体材料是直接带隙半导体且禁带宽度从紫外波段到红外波段连续可调,因而被广泛应用于制作发光二极管和激光器等方面.一般商品化的GaN基LED是通过金属有机物化学气相...
[会议论文] 作者：吴超,余佳东,罗毅,郝智彪,王健,汪莱,鄂炎雄,孙长征,韩彦军,熊兵,李洪涛,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温的方式来增加原子的表面迁移能力，为进而实现高......
[会议论文] 作者：高俊宁,郝智彪,鄂炎雄,钮浪,汪莱,孙长征,熊兵,韩彦军,王健,李洪涛,罗毅,李国强,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是射频滤波、信号延迟、脉冲压缩等,是无线通讯、导航等领域中信号处理技术的核心元件之一,具有插入损耗低、阻带抑制比高、带宽较宽的优点,而且制作工艺简单,制作成本低,便于集成.SAW传感器还可用于气体传感、物质识别......
[会议论文] 作者：鄂炎雄,李洪涛,孙长征,罗毅,郝智彪,余佳东,吴超,刘润泽,汪莱,熊兵,王健,韩彦军,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
Ⅲ族氮化物纳米线由于自由表面侧壁释放了晶格失配应力,因而可形成几乎无缺陷的单晶,在制作纳米线激光器、光催化材料、光传感器件以及单光子源等方面有重要的应用前景.相比...
[会议论文] 作者：高俊宁[1]郝智彪[2]鄂炎雄[2]钮浪[2]汪莱[2]孙长征[2]熊兵[2]韩彦军[2]王健[2]李洪涛[2]罗毅[2]李国强[3],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是射频滤波、信号延迟、脉冲压缩等,是无线通讯、导航等领域中信号处理技术的核心元件之一,具有插入损耗低、阻带抑制比高、带宽较...
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