搜索筛选:
搜索耗时0.0960秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 34 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：闫志瑞,,
来源：考试周刊 年份：2004
在中学美术课程里,课外的社团活动是必不可少的组成部分,也是对中学美术课堂的补充。在课外社团活动中,学生可以通过多种形式,增强美术学习的灵活性和趣味性。基于此,在本文...
[期刊论文] 作者：闫志瑞,
来源：电子工业专用设备 年份：2004
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA...
[学位论文] 作者：闫志瑞,,
来源：大连理工大学 年份：2016
从20世纪后期开始,硅基集成电路产业成为发展最快的产业,它不仅自身迅速成长,还带动了一批其他产业的崛起和完善,例如计算机、通信、航天、精密机械等,这一系列产业的发展推...
[期刊论文] 作者：闫志瑞,,
来源：学周刊 年份：2018
学生社团活动是学校文化建设及提高学生综合素质的重要途径,是学校有效开展课外活动的重要组成部分,也是课堂教学的有效延伸,是开展学生思想政治工作和促进学生的个性发展的...
[期刊论文] 作者：闫志瑞,
来源：电子工业专用设备 年份：2004
主要对ADE公司生产的硅片参数测试仪(Ultra Scan 9600)的预防性维护及注意事项进行了简单的说明....
[期刊论文] 作者：闫志瑞,
来源：课外语文·下 年份：2018
【摘要】随着新课改的继续深化，让学生深入地了解汉语言文化，提倡学生的个性化学习，培养学生的全面发展成了高中语文教学的主要内容，这就更加地凸显了高中语文个性化教学理念的重要性。文学社团是学生个性化发展的重要途径，学生可以根据自己的兴趣爱好积极地参加文学......
[期刊论文] 作者：王海燕,闫志瑞,
来源：电子工业专用设备 年份：2004
对TECHNOS公司生产的TREX610测试仪在使用过程中的安全注意事项及日常维护进行了简单的说明....
[期刊论文] 作者：刘红艳,万关良,闫志瑞,
来源：中国稀土学报 年份：2003
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用...
[期刊论文] 作者：库黎明,闫志瑞,索思卓,周旗钢,,
来源：半导体技术 年份：2009
65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单...
[期刊论文] 作者：唐兴昌,肖清华,周旗钢,闫志瑞,,
来源：半导体技术 年份：2008
在直径300 mm Si片制备中,利用双面磨削技术能为后续加工提供高精度的表面,但Si片损伤层厚度较大。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜对Si片表面及截面进行观察,得到了经不...
[期刊论文] 作者：闫志瑞, 鲁进军, 李耀东, 王继, 林霖,,
来源：半导体技术 年份：2006
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生...
[期刊论文] 作者：闫志瑞,李俊峰,刘红艳,张静,李莉,,
来源：半导体技术 年份：2006
随着半导体技术的不断发展，集成电路的线宽在不断减小，对硅抛光片表面质量的要求也越来越高，传统的RAC清洗方法已不能满足其需求，因此，必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗......
[期刊论文] 作者：库黎明,闫志瑞,索思卓,常青,周旗钢,
来源：微电子学 年份：2008
建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型；利用数学软件，模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明，在其他双面抛光工艺不变的情况下，改变抛光机四个......
[会议论文] 作者：肖清华,张果虎,冯泉林,闫志瑞,库黎明,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调整精密加工工艺后的效果，同时开展了浅表层微缺陷的红外消光法、氧化层错试验表征研究，确定了这两种方法的表征可行性。......
[期刊论文] 作者：闫志瑞,库黎明,白杜娟,陈海滨,王永涛,
来源：金刚石与磨料磨具工程 年份：2020
介绍半导体硅片制备技术及理论,分析目前全球硅片的产业概况、产业历史发展趋势及特点;结合我国目前的实际情况,论述国内大力发展硅片产业面临的机遇、挑战及存在的问题。...
[期刊论文] 作者：闫志瑞,唐兴昌,葛钟,陈海滨,张果虎,,
来源：半导体技术 年份：2009
磨削工艺被广泛应用于大直径Si衬底的制备中,而由磨削带来的Si片表面损伤及形貌对后续加工有较大的影响。利用扫描电子显微镜、粗糙度仪、喇曼光谱仪等工具对经过2000#、3000...
[会议论文] 作者：库黎明,周旗钢,李耀东,闫志瑞,王继,
来源：中国有色金属学会第六届学术年会 年份：2005
本文利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中化学作用对300mm硅片表面形貌的影响,并对硅片表面的化学腐蚀机理进行了讨论.结果表明,抛光速率随pH值逐渐增大,当pH≈9.8时...
[期刊论文] 作者：曲翔,陈海滨,方锋,汪丽都,周旗钢,闫志瑞,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法。本文根据区熔（FZ）硅单晶气相掺杂原理，结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓......
[期刊论文] 作者：曲翔, 徐文婷, 肖清华, 刘斌, 闫志瑞, 周旗钢,,
来源：材料导报 年份：2012
忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了...
[期刊论文] 作者：刘大力, 冯泉林, 周旗钢, 何自强, 常麟, 闫志瑞,,
来源：稀有金属 年份：2004
研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带;较高的拉晶速率下,外延片表...
相关搜索：
