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[期刊论文] 作者：韩德栋,
来源：水运技术 年份：1998
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[学位论文] 作者：韩德栋,
来源：北京大学 年份：2010
透明电子学(transparent electronics)是关于透明电子材料、透明器件以及透明电路的研究，是当前半导体技术领域前沿的研究热门课题之一。21世纪以来，透明电子材料受到国内外科...
[期刊论文] 作者：韩德栋,张国强,等,
来源：半导体学报 年份：2001
通过对短沟NMOSFET的沟道热载流子效应研究，发现在短沟NMOSFET栅介质中引入F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移，分析讨...
[期刊论文] 作者：韩德栋,张国强,等,
来源：半导体学报 年份：2002
对注F、注N以及先注N后注F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究，实验结果表明，在栅介质中引入适量的F或N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力，分析研究表明，栅氧化层的击穿主要......
[期刊论文] 作者：韩德栋,张国强,任迪远,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了含N超薄栅氧化层的击穿特性。含N薄栅氧化层是先进行900℃干氧氧化5min，再把SiO2栅介质放入1000℃的N2O中退火20min而获得的，栅氧化层厚度为10nm。实验结果表明，在栅介质...
[期刊论文] 作者：韩德栋,张国强,余学峰,任迪远,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
研究了用注F工艺制作的短沟MOSFET的热载流子效应.实验结果表明,在栅介质中注入适量的F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化.分析讨论...
[期刊论文] 作者：韩德栋,张国强,余学峰,任迪远,
来源：半导体学报 年份：2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：韩德栋,康晋锋,杨红,韩汝琦,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9nm的超薄MOS电容。当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象。分别...
[期刊论文] 作者：韩德栋,康晋锋,刘晓彦,韩汝琦,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.对电容的电学特性如C-V特性,I-V特性,击穿特性进行了测试.实验结果显示:HfO2栅...
[期刊论文] 作者：韩德栋,张国强,任迪远,陆妩,严荣良,
来源：半导体学报 年份：2002
对注 F、注 N以及先注 N后注 F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究 ,实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 F或 N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力 .分析研究表明 ,栅氧...
[期刊论文] 作者：陈勇,赵建明,韩德栋,康晋锋,韩汝琦,
来源：半导体学报 年份：2006
分两步提取厂HfO2高κ栅介质等效氧化层厚度（EOT），首先，根据MIS测试结构等效电路，采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正，得出HfO2高κ栅介质的准确C-V特性，其次......
[期刊论文] 作者：韩德栋,张国强,任迪远,余学锋,郭旗,陆妩,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
对同一工艺制作的几种不同沟道长度的MOSFET进行了沟道热载流子注入实验.研究了短沟MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系.实验结果表明,沟道热载流子注入使MOSFET的器...
[期刊论文] 作者：陈勇,赵建明,韩德栋,康晋锋,韩汝琦,,
来源：半导体学报 年份：2006
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性...
[期刊论文] 作者：韩德栋,张国强,任迪远,余学锋,郭旗,严荣良,
来源：微电子学 年份：2002
对含F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究.实验结果表明,在栅介质中引入适量的F可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表明,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造...
[会议论文] 作者：韩德栋;康晋锋;王成钢;杨红;王玮;韩汝琦;,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
超薄栅介质的击穿问题是阻碍MOS器件进一步发展的主要原因之一.本文叙述了超薄栅氧化层击穿的几种主要测试方法和机理.利用磁控反应溅射的方法制备了高K(高介电常数)栅介质Hf...
[期刊论文] 作者：韩德栋, 董俊辰, 李慧津, 郁文, 王漪, 张兴,
来源：微纳电子与智能制造 年份：2019
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[期刊论文] 作者：韩德栋,康晋锋,王成钢,刘晓彦,韩汝琦,王玮,
来源：半导体学报 年份：2004
利用磁控溅射的方法在p-si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容，对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究．利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面...
[期刊论文] 作者：任驰,杨红,韩德栋,康晋锋,刘晓彦,韩汝琦,
来源：半导体学报 年份：2003
利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层，研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层物理特性的影响．结果表明：在较高温度下N2气氛...
[期刊论文] 作者：董俊辰,郁文,李慧津,韩德栋,张盛东,张兴,王漪,
来源：液晶与显示 年份：2017
本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管。钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力。透射电子显微镜揭示...
[期刊论文] 作者：李慧津,董俊辰,郁文,韩德栋,张盛东,张兴,王漪,
来源：光电子技术 年份：2019
在低温下制备了三氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管。原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性。经过200 ℃真空退火处理, 双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管表现出良好的转移特性和输出特性, 器件的亚阈值摆幅SS为177 mV/dec, 电流开关比......
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