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[学位论文] 作者：黄呈橙,
来源：北京大学 年份：2013
近年来，随着GaN基低维量子结构外延技术的不断进步，AlGaN/GaN多量子阱结构子带间跃迁(ISBT)材料与光电器件逐渐成为Ⅲ族氮化物半导体领域的前沿研究方向之一。由于AlGaN/GaN多...
[期刊论文] 作者：黄呈橙,,
来源：科学与文化 年份：2007
2005年厦门大学85年校庆期间,世界著名的物理学家、诺贝尔物理学奖获得者戴维·格罗斯教授应邀来校为师生作了“物理学的未来”精彩讲座.他提出了未来物理学研究的25个重要问...
[期刊论文] 作者：黄民生,黄呈橙,,
来源：灾害学 年份：2007
采用特尔菲法，选择4个一级因子和14个二级因子，建立洪灾风险评价等级指标体系。利用层次分析法，根据对同一层元素相对重要性比较，决定各指标权重。应用模糊综合评判方法，将福建省6......
[会议论文] 作者：陈广,王新强,黄呈橙,荣新,沈波,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
本文阐述了GaN基多量子阱红外探测器件的最新进展。通过设计不同阱宽结构的多量子阱器件，成功地实现了3-5μm波段大气窗口以及280nm日盲区波段的双色吸收，并通过理论计算以及XR...
[会议论文] 作者：黄呈橙,许福军,陈广,王新强,沈波,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
近年来,AlGaN基多量子阱子带间跃迁结构由于在3-5 μm大气窗口波段的光电探测和1.3 μm及1.55 μm的光通信波段器件上具有巨大的应用前景,正成为国际上的研究热点....
[会议论文] 作者：许正昱,许福军,黄呈橙,王嘉铭,张霞,沈波,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界...
[会议论文] 作者：陈广,王新强,黄呈橙,潘建海,刘世韬,沈波,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分...
Different temperature dependence of carrier transport properties between Al_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N
[期刊论文] 作者：宋杰,许福军,黄呈橙,林芳,王新强,杨志坚,沈波,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The temperature dependence of carrier transport properties of AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN and AlxGa1-xN/GaN heterostructures has been investigated.It is shown that...
[会议论文] 作者：黄呈橙;许福军;许正昱;王嘉铭;张霞;王新强;沈波;,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的...
[会议论文] 作者：林芳,沈波,卢励吾,许福军,马楠,宋杰,黄呈橙,黄俊,刘新宇,魏珂,
来源：第十八届全国半导体物理学术会议 年份：2011
本文通过使用变温电流-电压、变频电容-电压和霍尔测量，系统地研究了热氧化对晶格匹配的In0.18Al0.82N/GaN异质结构上Ni/Au肖特基接触的电学性质的影响。...
[会议论文] 作者：林芳,黄俊,沈波,卢励吾,许福军,马楠,宋杰,黄呈橙,刘新宇,魏珂,
来源：第十八届全国半导体物理学术会议 年份：2011
本文通过使用变温电流-电压、变频电容-电压和霍尔测量，系统地研究了热氧化对晶格匹配的In0.18Al0.82N/GaN异质结构上Ni/Au肖特基接触的电学性质的影响。...
[会议论文] 作者：黄呈橙,许福军,闫晓东,宋杰,苗振林,岑龙斌,潘建海,王新强,沈波,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。......
[会议论文] 作者：王嘉铭;许福军;黄呈橙;许正昱;张霞;王彦;葛惟昆;王新强;杨志坚;沈波;,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究，同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比...
[会议论文] 作者：王嘉铭,沈波,许福军,黄呈橙,许正昱,张霞,王彦,葛惟昆,王新强,杨志坚,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究,同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较.发现两者虽然同为含In体系,但是在InAlN材料中并未表现出与InGaN相似的In组分明显的空......
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