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[学位论文] 作者：黎明锴,,
来源： 年份：2004
本工作研究了中频磁控溅射制备AIN薄膜和nc-AIN／a-Si3N4复合薄膜及其结构与特性，并且研究了Mn+离子注入AIN薄膜的电学和磁学性质。 最近的研究表明氮化物半导体是很有希望被...
[期刊论文] 作者：彭友贵,黎明锴,
来源：中国机械工程 年份：2000
分析当前各种刀具材料的优缺点，回顾氮化碳的历史，分析氮化碳涂层在刀具上应用的可行性，通过研究氮化碳刀具的实用效果认为氮化碳刀具将具有广阔的应用前景。...
[会议论文] 作者：张迷;郑丽兰;黎明锴;何云赋;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
SnO2是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,与目前应用较多的宽禁带半导体GaN、ZnO相比具有更好的化学稳定性、更宽的带隙(3.6eV)等特性.近年来这些特性使得SnO2作为制备短...
[期刊论文] 作者：潘瑞琨,刘攀克,黎明锴,何云斌,,
来源：材料导报 年份：2015
采用脉冲激光沉积法（PLD）,在掺铌的钛酸锶单晶基片（Nb∶SrTiO3,NSTO）上外延生长了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）等技术,......
[期刊论文] 作者：董浩,黎明锴,刘传胜,付强,卢宁,范湘军,
来源：武汉大学学报(理学版) 年份：2002
使用中频脉冲磁控溅射技术分别在Si(111) 、玻璃以及高速钢基底上沉积AlN薄膜. 利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、紫外荧光、FTIR、精密阻抗分析仪等研究了薄膜的...
[会议论文] 作者：朱家昆,罗明海,黎明锴,何云斌,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
合金在ZnO光电子应用中取得的进一步发展是对我们目前工作的一个重要推动。尽管近来取得了一些成就，获得稳定的p型ZnO合金仍旧是一个具有挑战性的任务。闪锌矿合金相(ZB)...
[会议论文] 作者：罗明海,朱家昆,黎明锴,何云斌,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
ZnO的能带工程是当前ZnO研究的热点和难点。通过等价阳离子部分取代Zn形成ZnMeO(Me=Be、Mg、Cd等)合金来调控ZnO带隙的研究已广泛开展。其中,Mg和Be元素的掺杂可以扩大Zn...
[会议论文] 作者：唐志武,徐马记,黎明锴,何云斌,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
在 341 K 附近,VO2 发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变,同时伴随着光学、电学和学等性质的可逆突变,这种独特的性质使得 VO2 在光电开关材料、智能玻璃、存储介质材料等领域有着广阔的应用前景 1.目前,基于 VO2 材料的应用主要以薄膜状态为主,但是 VO2 ......
[期刊论文] 作者：彭友贵,黎明锴,范湘军,祝增荣,殷世英,
来源：中国机械工程 年份：2000
分析当前各种刀具材料的优缺点 ,回顾氮化碳的历史 ,分析氮化碳涂层在刀具上应用的可行性 ,通过研究氮化碳刀具的实用效果认为氮化碳刀具将具有广阔的应用前景Analysis of...
[期刊论文] 作者：唐志武,徐马记,陶欣,黎明锴,何云斌,,
来源：湖北大学学报(自然科学版) 年份：2017
采用脉冲激光沉积法,在c面蓝宝石衬底上,以VO2陶瓷作为烧蚀靶材,高纯氧气作为反应气体,固定衬底温度600℃,通过改变生长氧压制备VO2薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜、四探...
[期刊论文] 作者：张迷,郑丽兰,黎明锴,卢寅梅,何云斌,,
来源：湖北大学学报(自然科学版) 年份：2017
以SnO陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法（PLD）,在厚度为330 nm的r面蓝宝石衬底上制备厚度约为270 nm的单相SnO外延薄膜,并通过改变衬底温度,系统地研究生长温度对薄膜结构及光学性...
[期刊论文] 作者：徐马记,唐志武,李派,黎明锴,何云斌,
来源：湖北大学学报：自然科学版 年份：2017
采用电子束蒸发法（EBE）在单晶TiO2（110）衬底上沉积VO2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,氧压2×10-6mbar,然后通过改变不同的V蒸...
[会议论文] 作者：丁雅丽,林银银,梁国进,黎明锴,何云赋,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
高质量非极性面取向ZnOS薄膜的生长制备及其结构和性能探究具有重要的学术意义和潜在应用价值.由于极性面量子阱受到斯塔克效应的影响,近年来人们对ZnO的研究已经扩展到了非...
[期刊论文] 作者：杨蓉慧子,黎明锴,常钢,卢寅梅,何云斌,
来源：材料科学 年份：2018
本工作采用脉冲激光沉积法,以BeMgZnO陶瓷为靶材、c面蓝宝石为衬底,在固定衬底温度700?C、改变沉积氧压条件下制备BeMgZnO四元合金薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、紫...
[期刊论文] 作者：尚勋忠,方金钢,王志强,黎明锴,周桃生,何云斌,
来源：湖北大学学报：自然科学版 年份：2013
采用固相烧结法，在真空管式炉中于960℃下保温2h，制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷，所制备的陶瓷呈现P型导电且导电性能良好．此外，以自制的CuInS2陶瓷为靶材，采用脉冲......
[会议论文] 作者：郑丽兰;张迷;李磊;梁国进;黎明锴;何云赋;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在信息显示、传感器等领域具有广泛的应用价值,而以氧化物半导体材料为基础的TFTs更是由于其高迁移率、高可见光透光性及低生长温度而...
[会议论文] 作者：罗明海,何云斌,朱家昆,黎明锴,李承斌,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
近年来SnO作为少数几种p型透明导电材料之一逐步受到人们的重视[1].然而由于SnO为间接带隙半导体(G->M：～0.4 eV)，使其难以作为有源层应用于光电器件中.最近有研究表明，随着Sn...
[会议论文] 作者：黎明锴,朱家昆,罗明海,何云斌,李承斌,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
近年来SnO作为少数几种p型透明导电材料之一逐步受到人们的重视[1].然而由于SnO为间接带隙半导体(G->M：～0.4 eV)，使其难以作为有源层应用于光电器件中.最近有研究表明，随着SnO外延层厚度的减小，其可见光吸收边发生蓝移.本文利用第一性原理计算了单层及多层SnO的电子......
[期刊论文] 作者：罗明海, 黎明锴, 朱家昆, 黄忠兵, 杨辉, 何云斌,,
来源：物理学报 年份：2016
ZnO的能带工程是当前ZnO研究的热点之一通过等价阳离子如Cd,Be,Mg等部分取代Zn形成CdZnO,BeZnO,MgZnO等合金来调控ZnO带隙的研究己广泛开展.其中,Cd的掺杂可以减小ZnO的禁带...
[期刊论文] 作者：张蕾,方龙,刘攀克,刘越彦,黎明锴,何云斌,
来源：功能材料 年份：2016
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质...
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