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[期刊论文] 作者：Xiufang CHEN Xiangang XU Juan,
来源：材料科学技术学报：英文版 年份：2007
为硅碳化物擦亮的表面(原文如此)底层被调查 andresults 为机械擦亮被介绍( MP )并且chemo机械的擦亮( CMP ) .High qualitysurfaces 在 CMP 期间在物理的 MP anddetailed...
[期刊论文] 作者：Xiufang Chen Liana Ning Yingmi,
来源：材料科学技术学报：英文版 年份：2009
Thermal oxidation was used to remove the subsurface damage of silicon carbide (SiC) surfaces. The anisotropy of oxidation and the composition of oxide layers on...
[期刊论文] 作者：Xiufang CHEN,Xiangang XU,Juan,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：Xiufang CHEN Juan LI Deying MA,
来源：材料科学技术学报：英文版 年份：2006
大直径的 6H-SiC 晶片的三主要用机器制造进程在这篇论文被介绍。这些过程包括切，舔并且擦亮。舔的原因伟人剩余压力和能与随后的擦亮的过程逐渐地被减少的深损坏层。机械擦亮...
[期刊论文] 作者：Xiufang Chen,Li’na Ning,Yingmi,
来源：城市道桥与防洪 年份：2009
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：Xiufang CHEN,Juan LI,Deying MA,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：Xianglong Yang,Kun Yang,Yingxin Cui,Yan Peng,Xiufang Chen,Xuejian Xie,Xiaobo Hu,,
来源：Acta Metallurgica Sinica(English Letters) 年份：2014
The resistivities of vanadium-doped semi-insulating 4H-SiC wafers were measured by a contactless resistivity measurement system. Anomalous resistivity was found...
[期刊论文] 作者：Quan Wang,Changxi Chen,Wei Li,Yanbin Qin,Lijuan Jiang,Chun Feng,Qian Wang,Hongling Xiao,Xiufang Chen,,
来源：半导体学报（英文版） 年份：2021
State-of-the-art AlGaN/GaN high electron mobility structures were grown on semi-insulating 4H-SiC substrates by MOCVD and X-band microwave power high electron mobility transistors were fabricated and characterized.Hall mobility of 2291.1 cm......
Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wa
[期刊论文] 作者：Ye Yu,Tao Wang,Xiufang Chen,Lidong Zhang,Yang Wang,Yunfei Niu,Jiaqi Yu,Haotian Ma,Xiaomeng Li,Fang Liu,
来源：光：科学与应用（英文版） 年份：2021
Strain modulation is crucial for heteroepitaxy such as GaN on foreign substrates. Here, the epitaxy of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates by me...
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