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[期刊论文] 作者：陈小兵,毛翔宇,凌帆,高维山,赵成,chang j s,be,
来源：扬州师院学报：自然科学版 年份：1997
将Ａｒ（９５％）－ＳＨ４（２．５％）－Ｄ２（２．５％）混合气体等离子体直流正辉区用化学敢相沉淀（ＰＣＶＤ）方法制备α－Ｓｉ：Ｄ／Ｈ薄膜，采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数，红外照相方法测量了反应腔壁温度，结果表明，基片支架对反应腔的等离子体......
[期刊论文] 作者：陈小兵,毛翔宇,凌帆,高维山,赵成,Chang J S,Berezin A A,,
来源：扬州师院学报(自然科学版) 年份：1997
将 Ar(95%)-SiH_4(2.5%)-D_2(2.5%)混合气体在等离子体直流正辉区用化学气相沉淀(PCVD))方法制备 a-Si:D/H 薄膜.采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数,红外照相方法测...
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