β-Ga2O3薄膜相关论文
单斜氧化镓(β-Ga2O3)材料因其独特而优异的光电特性在日盲紫外探测领域具有广阔的应用前景,受到国内外研究者的广泛关注.本研究工......
氧化镓作为第三代半导体材料的代表被广泛的应用,因其具有禁带宽度大、击穿电压高、在高温等恶劣环境下能够保持化学物理特性稳定......
日盲紫外探测技术在日盲紫外通信、导弹预警跟踪、火箭尾焰探测,量子信息、空间探测、高能物理、电晕探测、环境监察和生物医疗等......
随着科学技术的发展，透明导电氧化物薄膜在平面显示、发光二极管、太阳能透明电极等领域的应用引起了越来越多的人的关注。而具有直......
采用射频磁控溅射法制备了氧化镓（Ga2O3）薄膜,计算了薄膜的O/Ga摩尔比,比值为1.57。研究了后退火对薄膜结构,形貌特征和光学带隙的影......
作为宽禁带半导体材料的一员,结构稳定的β-Ga2O3具有比SiC和GaN更宽的禁带宽度和更高的巴利加优值,近年来受到科研人员的广泛关注......
采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底上异质外延β-Ga2O3薄膜。研究了氧分压对薄膜表面结构和结晶程度的影响，结果表明β-Ga2O3薄膜的......
21世纪半导体材料的一个研究热点就是在半导体材料中掺杂少量的金属离子，通过掺入不同的金属离子可以得到P型或N型半导体。直接带隙......
随着科学技术的发展和社会的进步，氧化镓作为直接带隙宽禁带半导体材料（其禁带宽度约4.9 eV）可制备出优良的深紫外透明导电薄膜，它在高......
