光电导衰退相关论文
本文介绍一种简便实用的测量少数载流子寿命的新方法－ＭＯＳ电容测量法。它对测量样品的要求不高，可在生产过程中实时测量，测量方法、数据处......
提出了脉冲式阳极氧化生长碲镉汞表面钝化膜的方法．自行设计研制成功一种新颖的脉冲式阳极氧化装置，获得了优于传统恒流方式生长的碲......
分析了背景辐射影响长波HgCdTe光电导探测器性能的基本原理，分析中考虑了器件上下两表面的表面复合速度和不同器件的具体参数。在MT......
在真空蒸发硅的同时，分别用N离子和NH3离子轰击生长表面，获得具有不同H和N含量的a－SiNx和a－SiNx：H薄膜。对于这些薄膜，只要它们具有光电......
概述电子工业的飞速发展,相应对半导体材料参数的精密测量提出了迫切的要求。我厂广大革命职工在伟大领袖毛主席“独立自主、自力......
一、前言 非平衡少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的重要参数之一,它可反映出材料的杂质和缺陷情况。 所谓少子寿命,是......
PbS光电探测器响应率高,制作工艺相对简单,能在室温工作,直到现在还一直被广泛使用着。PbS的光电特性在相当程度上决定了探测器的......
为了在红外光电导探测器工艺前对HgCdTe晶片进行挑选,以提高探测器的成品率,华北光电所于1989年底完成采用微型计算机控制、数据......
从理论和实验上分析了HgCdTe光导(PC)及扫积型(SPRITE)器件的瞬态衰退过程,结果表明在高偏置电场下,光导器件的衰退过程近似线性,......
空气中的氧在CdS-CdSe烧结膜中晶粒表面上的吸附,使晶粒的表面态发生变化,影响了晶粒中载流子的表面复合率.直流光电导衰退法测量......
研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激......
用光电导衰退测量了不同背景下载流子有效寿命，用红外探测器的标准测试方法测量了不同背景下器件的性能。降低背景辐射量可使器件性......
利用Ar溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温ZnS介质薄膜的生长。在同一HgCdTe表面分别用ZnS介质膜、HgCdT
e自身阳极氧化膜进行表......
利用Ａｒ~＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面低温生长了 ＣｄＴｅ介质薄膜．分别用 ＣｄＴｅ介质膜和 ＨｇＣｄＴｅ自身阳极氧化膜对 ＨｇＣｄＴｅ表面钝化．利用光电导衰退信号波形的拟合，得到了......
利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温CdTe介质薄膜的低温生长.在同一HgCdTe晶片表面分别用CdTe介质膜、HgCdTe自身阳极氧......
采用微波反射光电导衰减法测量了P^＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布，通过对非平衡载流子浓度在P^＋n结中衰减过......
利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si：H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以......
通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较。......
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变功率密度和沉积压强制备了三系列微晶硅薄膜。采用拉曼光谱、XRD与电导率分析技......
<正> 少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数,它对各种半导体器件的电特性有很大影响.已有许多作者采用微波方法测量半导体材......
