微晶硅薄膜相关论文
采用拉曼光谱、椭圆偏振光谱和原子力显微镜分析了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)微晶硅(μc-si：H)薄膜的初期生长特性......
采用热丝技术,通过改变氢稀释度获得不同晶态比的微晶硅薄膜,对薄膜的直流共面电导和交流夹心电导测量表明,在晶态比0.43>0.8时,各......
与低速沉积的微晶硅薄膜相比，高速沉积的微晶硅薄膜具有非晶孵化层厚、纵向结构均匀性差等特点,导致电池的填充因子和短路电流密度......
采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了硼掺杂的系列硅薄膜。采用拉曼光谱表征了薄膜的晶化。随着氢等离子对衬底处理时间的......
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,针对单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜太阳电池存在交叉污染的问题,有意地进......
本文尝试为等离子体化学气相沉积(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜太阳电池的P型与I型微晶硅(μc-Si∶H)材料和N型非晶硅(a-Si......
本文采用改进大面积(45cm×45cm)等离子增强化学气象沉积(PECVD)方法,在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H),用于薄膜硅太......
实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.本文采用超高频等离子体增强化学气相沉积技术,实现了微晶硅薄......
为了研究微晶硅薄膜的生长机制，本文采用热丝化学气相沉积（HWCVD）制备一系列不同生长阶段的微晶硅（μc-Si:H）薄膜，用原子力显微镜（AFM）系统......
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备了系列不同沉积条件的微晶硅薄膜。X-Ray衍射测试结果表明材料的择优取......
本文考察了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅薄膜过程中，长时间使用系统造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。发现同样......
会议
工作温度对太阳能电池伏安特性有着非常重要的影响。一般来说，相同的日照强度下，温度升高，则太阳能电池的短路电流升高，开路电压、功率......
本文采用理论模拟和实验相结合的方法,研究了不同气压下放电功率对VHF-PECVD沉积的微晶硅薄膜的生长特性的影响.低压时,SiH3为主要......
采用热丝技术研究了在氢稀释度R=90﹪、98﹪及99﹪条件下玻璃衬底上硅的成核情况.在成核初期,氢稀释度为98﹪和99﹪条件下成核密度比90﹪高;在......
为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(......
本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、......
会议
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H/SiH中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射......
会议
本文采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收（FTIR）对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果......
随着薄膜太阳能电池的兴起，微晶硅薄膜由于其较稳定的效率引起人们的广泛关注，而降低成本和提高效率是微晶硅薄膜电池发展应用的主要......
与非晶硅薄膜太阳电池相比，微晶硅薄膜太阳电池由于其高效率和高稳定性而受到广泛关注。等离子体化学气相沉积(PECvD)广泛应用于低......
氢化微晶硅薄膜由于在薄膜太阳电池中的应用潜力而受到人们的普遍关注。但是传统的化学气相沉积等方法制各的微晶硅薄膜存在一些不......
本文采用HWA-MWECR-CVD系统制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的......
采用 VHF- PECVD方法 ,以高氢稀释的硅烷为反应气体 ,低温条件下成功地制备了系列 μc- Si∶ H薄膜 .对薄膜的厚度测量表明 :增大......
对微晶硅薄膜晶体管,尤其对底栅型晶体管,在衬底和晶化层间存在一层非晶相起始层,这将严重影响器件性能.文中采用降低硅烷浓度的方......
研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的......
系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响,并优化了沉积参数.在相同的沉积条件下,甚高频沉积速度明显......
本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管(TFT)。发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性。......
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以PH3为掺杂剂,在浮法玻璃衬底和不锈钢衬底上制备了纳米级的n型微晶硅薄膜。采......
采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了硼不同掺杂比系列的p型微晶硅薄膜。采用光发射谱仪对薄膜的沉积过程进行了原位表征,采......
在光伏领域中,晶体硅(包括单晶硅和多晶硅)太阳电池一直在市场中占有主导地位(约占95%以上),但是由于晶体硅是体材料,在太阳能电池......
采用VHF PECVD技术在多功能系统(clustertool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明:气压和功率的......
本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。表明:随着衬低温度的......
通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的......
使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获......
采用PECVD工艺制备了非晶,微晶和多形硅薄膜,研究了电极间热梯度对氢化硅薄膜结构的影响.根据拉曼光谱得到了微晶硅的晶化率,并在......
采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的......
采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测......
本文采用四极杆质谱对高速沉积硅薄膜过程中硅烷浓度的变化情况进行了在线监测,针对反应过程中的反向扩散现象进行了研究.结合硅烷......
以Ar+SiH_4作为反应气体,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜......
采用高压高功率(hphP)甚高频等离子体强强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,在最优沉积条件参数下对hphP......
以Ar+SiH_4作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结......
为提高微晶硅薄膜的纵向结晶性能,在甚高频等离子体增强化学气相沉积技术的基础上,采用过渡参数缓变和两步法相结合的方法在普通玻......
