化学增幅相关论文
随着集成电路制程向着3 nm乃至1 nm推进,光刻胶作为集成电路制造中最为繁杂的光刻工艺所需的重要耗材,愈发显示其重要性及挑战性。......
综述了近十年来DUV抗蚀剂体系的进展,特别对DUV区化学增幅抗蚀剂的矩阵树脂、产酸源、阻溶剂作了详细的阐述.并指出,通过改进感光......
本文引入单体MAGME合成了具有自交联作用的MAGME、苯乙烯和N ( 4 羟基苯基 )马来酰亚胺的共聚物 ,并以该聚合物为基体树脂 ,研制......
本文对化学增幅抗蚀剂体系的组成及化学增幅作用做了说明.介绍了化学增幅作用中的关键组分-光产酸源和酸增殖剂的发展概况.并对重......
介绍了国内外光致抗蚀剂的研究进展、化学增幅光致抗蚀剂用光产酸剂--硫鎓盐的主要合成方法,同时介绍了193nm光致抗蚀剂所使用的光......
综述了用于化学增幅型光致抗蚀剂的光产酸剂及机理，对于几种常用的离子型和非离子型光产酸剂分别进行了阐述，并对其特性和应用做了简......
本文综述了近10年来电子束化学增幅抗蚀剂的概况、主要组成、成像反应机理及电子束抗蚀剂的发展方向.......
制备了一种阳离子含有萘基,阴离子分别为对-甲苯磺酸、甲磺酸及三氟甲磺酸的硫鎓盐.它们有高的热解温度和在常用有机溶剂中较好的......
将具有高酸解活性的酯缩醛聚合物与重氮萘醌磺酸酯配合，组成正性化学增幅型光致抗蚀剂，用于高感度化学增幅型 i-线（365 nm）光致抗蚀剂.......
芯片行业涉及到国民经济、国家安全的方方面面,属于战略性行业,2018年我国的芯片进口额更是高达3120多亿美元,远超石油。中兴事件......
聚对羟基苯乙烯和环己基乙烯基醚反应得到缩醛保护的聚合物.该聚合物易溶于常见的有机溶剂,具有较好的热稳定性,在248 nm处透明性......
芯片集成度的提高促使光刻胶向高分辨率方向发展,光刻技术由紫外全谱曝光发展到单一短波长曝光,为满足光刻胶高感度、高分辨率的要......
<正> 简史 当今世界上几乎所有的高分子化合物,不管是天然的还是人工合成的,都能在强烈的光线辐射下,缓慢地或快速地发生化学变化......
光致抗蚀剂(photoresist)是制造超大规模集成电路的关键性材料之一,随着集成电路集成度的不断增加,光致抗蚀剂由g线(436nm)胶、i线......
本文对近10年来有关ArF激光(193 nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193 nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从......
本文按传统光化学反应型和化学增幅型两种类型对近10年水溶性光致抗蚀剂的发展状况做了分类总结。重点介绍了成像反应原理和各体系......
本文通过沉淀聚合合成了聚(甲基丙烯酸-co-甲基丙烯酸甲酯-co-甲基丙烯酸叔丁酯-co-甲基丙烯酸异冰片酯)四元共聚物,合成了光产酸......
本文从化学增幅技术的产生,深紫外248nm胶主体树脂及PAG发展历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外248......
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