深紫外光刻相关论文
为满足45 nm及其以下节点光刻技术对照明系统的需求,将深紫外光刻照明系统的光束整形单元所采用的微反射镜阵列(MMA)作为关键器件,......
在超大规模集成电路中, 为满足数值孔径为1.35、波长为193 nm的光刻曝光系统45 nm的成像分辨率要求, 设计了一种新型光可变衰减器,......
深紫外光刻投影物镜光学系统对光学元件的面形精度要求极高，物镜中轴向调节机构调节力对光学元件面形的影响不可忽略。针对一种一体......
采用深紫外光刻及等离子体刻蚀等工艺制备基于绝缘体上硅材料的环形滤波器,且微环半径仅为5μm。制备基于单微环的4通道光分插复用......
表面等离激元（Surface Plasmon polaritons，SPPs）是金属中的自由电子和外加光场之间耦合而产生的一种电磁波。表面等离激元共振（Surfac......
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米“T”型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻......
首次采用扫描式光刻机开展基于101．6mm（4英寸）砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究，通过研究si片与GaAs片表面状态的差异，确认基于扫描式光刻......
<正>1半导体产业生态环境半导体产业诞生于20世纪70年代,当时主要受两大因素驱动:一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器;二......
为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片,设计了采用环形照明模式且部分相干因......
光刻机是制作极大规模集成电路的核心设备。光刻照明系统是光刻机的重要组成部分，它包括扩束系统、光束整形系统、匀光系统和照明物......
深紫外波段是目前常规光学技术的短波极限,随着波长的缩短,深紫外光学薄膜开发面临一系列特殊的问题;而对于深紫外光刻系统这样的......
亚微米金属结构在可见至红外段均具有独特的光学性质,利用其光学特性的表面增强拉曼散射(SERS)和表面增强红外吸收(SEIRA)极大地拓......
随着微电子产业的迅猛发展,我国迫切需要研制极大规模集成电路的加工设备-光刻机。曝光波长为193nm的投影式光刻机因其技术成熟、......
