抗蚀剂相关论文
由于三维功能微纳结构可以实现平面微纳结构所无法得到的卓越光学性能,所以吸引了大量研究者对其进行兴趣。目前,基于三维光功能微......
本文提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念.文中对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关......
极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光......
了可用于微机电系统加工的细电子束液态曝光技术.对该工艺的曝光方式、真空度需求、抗蚀剂选择以及能量和剂量需求等问题进行了研......
通过对空心酞菁磺酸对甲氧基苯酯的光生酸性质的研究，发现该化合物可在紫外光照射下生酸.由于酞菁类化合物本身具有光催化氧化反应......
概述随着半导体技术的发展,在本世纪五十年代,就提出了集成电路的概念。这种电路,是在一个半导体片上,同时制作出若干器件,并在结......
测定了一组乙烯基聚合物抗蚀剂和光致抗蚀剂的等离子体和活性离子蚀刻速率,以及离子铣蚀刻速率;并发现在合成中改变乙烯侧基取代基......
文章综述了扫描探针刻蚀技术的最新研究进展,并介绍了扫描探针刻蚀加工机理。
The article reviews the latest research progres......
文章讨论了ＭＪＢ３ＵＶ３００型光刻机的控制调整。以及抗蚀剂工艺条件的改进，消除影响曝光分辨率的驻波和衍射作用，实现了边缘整齐陡直、０．４μｍ条宽的光刻......
本文侧重分析电子束纳米光刻中的若干限制因素，包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用（散射与二次电子效应）、衬底条件......
本文扼要介绍了一种崭露头角的微电子机械系统（ＭＥＭＳ）的应用前景，以及它的最新工艺技术。并预示在推进ＭＥＭＳ工艺的前提下，ＭＥＭＳ产品将大有作为。
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本文研究了在ＳＦ＿６、ＣＢｒＦ＿３和ＣＨＦ＿３与氧相混合的几种氟化气体等离子体中，ＳｉＣ薄膜反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的深度。通过监测射频等离子体的光发射谱及产生等离子体的......
千兆位器件生产时代的污染控制＠ＨｉｒｏｓｈｉＫｉｔａｉｊｉｍａ＠ＹｏｓｈｉｍｉＳｈｉｒａｍｉｚｕ￥ＮＥＣ公司ＶＬＳＩ器件开发研究室千兆位器件生产时代的污染控制ＨｉｒｏｓｈｉＫｉｔａｉｊｉｍａ和ＹｏｓｈｉｍｉＳｈｉｒａｍｉｚｕ著万力译ＮＥＣ公司ＶＬＳＩ器件开...
Gigabit device manufa......
日本东京日立有限公司的中心研究实验室正在研究1—G bit动态随机存取存储器线路的光刻技术.超大规模集成线路制造技术的发展取决......
３００ｍｍ片子步进机的流片率ＮＩＫＯＮ公司第一设计部ＩＣ＆ＬＣＤ设备分部ＨｉｄｅｍｉＫａｗａｉ１前言就在１９９３年年底时，半导体产业界还很难决定继２００ｍｍ片子之后，下一代片子的主角究竟是由３００ｍｍ片子承担......
电气化学学会电子材料委员会于6月12日在大贩国际交流中心召开了第52次半导体集成电路技术座谈会。讨论了与硅化合物半导体等有关......
日本冲电气工业公司已制成照射电子线和远紫外线，安全、无机化新感光涂敷玻璃材料（简称：S（）G）。清晰度达到甩于IGbDRAM的0．lpm。各级以上......
随着改革开放政策的逐步深入，我国的微电子工业有了飞快的发展，华晶电子集团公司MOS事业部和双极录像机电路、上海贝岭公司、菲利浦......
目前，器件生产厂家和光刻设备制造厂家正在准备进行０．３５μｍ电路的生产。很明显，光学片子步进机仍然是主要的生产设备，但对ｉ线和远紫外片子步......
ｉ线片子步进机正在逐渐成为主流的加工设备，用于实现亚半微米电路图形的转印。因此它就成为批量生产１６Ｍ位ＤＲＡＭ器件，且有可能成为在远紫外设备......
不用离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制成功，为ＫｒＦ（２４８ｎｍ）准分子激光光刻技术生产第二代６４ＭＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新方法制作０．３５μｍ的Ｘ、Ｙ向及斜......
根据亚微米电子束曝光机束斑直径、束流大小与各磁透镜电流之间的关系以及刀口法测试束斑的原理，设计了一套总线式的束斑自动测控系......
文章提出了时间一边界跟踪模型的定义，阐述了用该模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布的方法，并给出了模拟计算结果．
In this paper, the......
干法腐蚀的最新进展使其成为微铸模制造中有发展前途的工艺技术。就像ＤＥＥＭＯ工艺展示的那样，高深宽比、方向自由度、低不平度、高腐蚀速率......
通过对接近式光刻中光通过掩模版后的近场衍射特性的计算机模拟分析和曝光实验，提出了一种新型的接近式衍射缩小曝光方法，适用于紫外......
本文阐术了在Ｓ－１４００正胶中加入适量咪唑，使正胶不仅具有原来特性，而且经一定工艺处理后还具有负胶的功能。在制造铬板时，用这种胶涂敷的铬板......
投影光刻技术的计算机模拟分为三部分：空间像强度分布计算，曝光计算和显影计算。本文分别讨论了各部分数学模型的建立，计算方法及特点......
本文描述了新型激光快速直写亚微米光刻系统。由准分子激光采用飞点扫描曝光的方法在片子上作图，制作了一种可编程相位调制的空间光......
在PCB制造和组装中热引起翘曲是个老问题。随着PCBs普遍地变得更小、更薄和更密时,其工艺和操作而引起的翘曲能够明显地影响制造......
本文概述了国内外最新的在光纤中写入Ｂｒａｇｇ光栅的原理方法及其所应注意的问题，重点介绍了紫外光写入Ｂｒａｇｇ光栅的各种原理及要点，最后介绍了光栅......
采用反应离子刻蚀技术，制作二元光学元件锗透镜阵列，对红外材料锗Ge的SF6加O2刻蚀机理和刻蚀特性进行了分析．并给出了研究结果。
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本文较全面地讨论了近几年来国外有关利用扫描探针显微镜进行纳米尺度表面改性和微细加工工作的现状和发展，重点讨论纳米尺寸光刻制......
日本东京应化工业开发了在不改变半导体批量生长线正在使用的i线步进器,最小线宽0.35μm工艺情况下,用原有的设备达到0.25μm以下......
介绍在光刻中使用２４８ｎｍ和１９３ｎｍ波长的一种新颖作图装置。设计该装置以抗蚀剂材料为其特征，应用在先进的存储器（６４Ｍｂ、２５６Ｍｂ）和高密度双极ＩＣ生产中。随着应用......
进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...
Photolithography at the turning point Paul Casstr......
对于０１３μｍ以下几何作图，离子投影光刻是一种适用的技术。该技术没有光学衍射局限性和电子光刻接近效应，并能使几何图形缩减，进行动态畸......
日本电信电话公司(NTT),研制出具有宽为0.4mm,长约10mm,深为0.1mm加压槽的微泵。在槽中以梳式并列18对直径为0.015mm,高为0.1mm的......
叙述了一种根据空间像匹配原理，进行光学邻近效应校正（ＯＰＣ）的实用方法。此方法采用了三种超高分辨率图形技术：散射条，抗散射条和修饰图形。......
国外光刻设备集锦ＰＡＳ５５００／５００型ＤＵＶ步进扫描光刻系统位于美国亚利桑那州坦佩市的ＡＳＭＬ子公司１９９７年初推出ＰＡＳ５５００／５００型步进扫描式光刻系统，拥有一个可变数值孔径＄Ｘ投影透......
１引言一年半以前，国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实......
