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近年来,三元半导体合金InGaN由于在光电器件(高亮度的蓝、绿光发光二激管、激光二极管)上的应用而备受人们的关注.由于InN和GaN之间比较大的晶格失配导致在InxGa1-xN/GaN量子阱的InxGa1-xN激活层中自发形成一些纳米量级的富In类量子点.
InxGa1-xN／GaN量子点中的激子态
【摘 要】
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近年来,三元半导体合金InGaN由于在光电器件(高亮度的蓝、绿光发光二激管、激光二极管)上的应用而备受人们的关注.由于InN和GaN之间比较大的晶格失配导致在InxGa1-xN/GaN量子
【机 构】
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河南师范大学
【出 处】
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河南师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2004年4期
【基金项目】
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河南省高校青年骨干教师资助项目，河南省教育厅自然科学基金
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