MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+......

用活化反应蒸发法在普通玻璃基片上制备出CuO/ZnO薄膜PN结，研究了该PN结的正向伏安特性曲线随相对湿度的变化。CuO/ZnO薄膜PN结的正......

...

...

本文叙述了使用等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备透明导电ＩＴＯ膜的研究结果。成功地在室温的条件下，制备出了高透明的，满足防......

本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积ＡｌＮ薄膜的技术，实验发现在衬底温度为４７０－８５０℃的范围内均可得到单晶薄膜，Ｘ射线衍射分析表明，薄膜只在......

利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8．5×10^-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x，（In1......