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Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜相关论文
Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜的合成
利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10^-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x,(In1......
期刊
Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜
反应蒸发法
XRD衍射图
温度特性
透过率
Sn1-x(In1-yCuy)xO films reaction evapo
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