本文主要介绍了利用真空反应蒸发技术,在氧分压8.5×10-2Pa左右、衬底温度400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出......

本文主要介绍了用真空反应蒸发法制备ZnO薄膜的方法,介绍测量膜厚的方法,了解ZnO薄膜的光电特性,利用XRD衍射对ZnO薄膜进行分析,得......

本文报道了用混合物理化学气相沉积法（hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD）在铜衬底上生长出了MgB2超导晶须.这......

采用溶胶-凝胶法制备ZnO缓冲层，并在其上沉积ZnO薄膜。研究了匀胶的膜厚控制公式，达到对膜厚的控制。采用X射线衍射仪和原子力显微镜......

利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8．5×10^-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x，（In1......