雪崩耐量相关论文
以垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDM......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT）器件因其耐压能力......
作为一种新型的宽禁带(WBG)半导体材料,碳化硅(SiC)凭其出色的物理特性越来越收到工业界的关注。作为当今最流行的WBG功率器件,SiC......
学位
本文为了优化4H-Si CVDMOS的雪崩耐量,提出了一种新型的p+槽和深p+结合的4H-Si CVDMOS,利用TCAD仿真揭示了第一个场限环间距、p+槽......
目前,很难找到介绍关于VDMOS参数的测试方法的文献,而且所能找到的文献主要介绍的都是VDMOS的基本测试方法,且多是静态参数。而VDM......
本文利用ISE-TCAD软件分析了高温对沟槽-平面栅MOSFET(TPMOS)及其体二极管特性的影响。为了进一步改善TPMOS的耐压和导通电阻，在现......
脉冲功率开关是脉冲功率系统重要组成之一，逐渐朝着更高性能的方向发展，反向开关晶体管RSD（Reversely Switched Dynistor）由俄罗斯科学......
针对SiCMOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiCMOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏......
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采......
功率MOSFET器件作为能源管理的核心控制单元,由于具有良好的电学特性和低廉的成本,因而广泛应用在汽车电子、消费电子以及航空航天......
VDMOSFET(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件不同于传统数模集成电路中器件,除了基本的静态和交流特......
2500V/2A的快恢复二极管具有导通电压低、开关时间短、体积小(直径仅为3mm)等优点,在航天航空及军事领域有着广泛且重要的应用。本......
功率快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)常与全控型开关器件反并联构成完整的开关模块,在电路开关过程中起提供回路能量泄放的......
非箝位电感开关过程（UIS）引起的器件失效是DMOS器件应用过程中最主要的失效形式，雪崩耐量是衡量DMOS器件UIS特性的一个重要参数，提高DM......
