多层铁电薄膜相关论文
以LaNiO3(LNO）做缓冲层，在SiO2／Si基底上用射频磁控溅射法制备出具有钙钛矿结构的(PSTT10／45)5多层铁电薄膜(PSTT10，0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O......
Sr2Bi4Ti5O18(SBTi) single layered and Sr2Bi4Ti5O18 /Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(SBTi/PZT) bilayered thin films have been prepared......
利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ B......
利用准分子激光在p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜BIT/PZT/BIT、PZT/BIT和BIT.讨论了多层铁电薄膜界面内建电压,其中Au/BIT/PZT/TBI......
为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结......
利用准分子激光在p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜BIT/PZT/BIT、PZT/BIT和BIT.讨论了多层铁电薄膜界面内建电压,其中Au/BIT/PZT/TBI......
采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线，电容与保持......
为ＦＲＡＭ，ＦＦＥＴ，ＦＤＭ的实际应用和研究提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，采用脉冲准分子激光淀积方法实际制备了两种不同电极的ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ多层铁电薄膜。用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路......
利用射频磁控溅射技术，以PbOx为过渡层，在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上，采用原位溅射技术制备了高度（100）取向的[（Pb0.90La0.10）Ti0.975O3/P......
为了有效阻止锫钛酸铅镧（PLZT）与半导体界面发生反应和互扩散，根据锆钛酸铅镧和钛酸铋（BIT）各自的铁电性能，提出了一种新的设计思想——......
采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保......
