PLD方法相关论文
地震大小和破裂持续时间在为早海啸警告的目的描绘地震的最重要的参数之中。当他们能从有反复的倒置过程的宽带 P 波形是习惯性地......
<正>Dear Editors,The properties of mixed-valence manganites are sensitive to the synthesis conditions[1].For oxide films......
采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析......
我们用PLD方法在不同氧气分压下生长了Fe3O4薄膜,RHEED显示我们在不同氧分压下得到的Fe3O4薄膜都为准二维单晶结构,这优于一些......
该论文的主要内容如下:尝试以PLD方法在不同条件下制备boron suboxide薄膜样品.用TEM,SEM,HREM的方法对样品进行观测.发现样品的形......
该文主要研究了PLD方法制备MgF光学薄膜及类金刚石薄膜(DLC),对MgF薄膜,我们系统研究了激光能量、衬底温度等对其表面形貌、结构以......
为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结......
以铝酸镧(001)单晶为基片，采用两步法在两种密封条件下制备T12Ba2CaCu2Ox(T1-2212)高温超导薄膜。首先利用脉冲激光沉积(PLD)工艺沉......
通过重构用于确定视震源时间函数有效持续时间的判别函数,对提取视震源时间函数的 PLD 方法进行了改进;利用合成资料和实际资料,验......
在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的......
采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线，电容与保持......
利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路研究了这些单层和多......
采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保......
用低能量脉冲激光沉积（PLD）方法在单晶硅片、石英玻璃片、载玻片等基底材料上分别沉积了一层碳膜.X射线衍射谱证明碳膜为非晶态,喇曼......
