器件制备相关论文
有机太阳能电池有着易于溶液加工,机械性能好,带隙可调等优势,有着广泛的应用前景。近些年来,非富勒烯小分子受体的发展使得有机太......
太阳能电池是一种利用光生伏特原理将太阳能转化为电能的装置。在可再生能源将成为未来主流能源的趋势下,太阳能电池凭借其无污染......
近年来超导量子计算的研究方兴未艾,随着谷歌宣布首次实现“量子优势”,这一领域的研究受到了人们进一步的广泛关注.超导量子比特......
提高光电型窄禁带半导体红外探测器的工作温度是当今红外技术发展的一个重要趋势,Ⅲ-Ⅴ族InAs基半导体材料是制备高工作温度红外探......
本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出......
本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻......
本文优化设计了一种高频高饱和输出的单行载流子光电探测器(UTC-PD)。引入线性掺杂吸收区和窄InP崖层从而获得高频高饱和探测器。......
本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、......
白色有机发光二极管(WOLED)在显示照明行业拥有着很好的应用前景。磷光白光器件由于在制备过程中需要用到贵重金属,导致成本较高,同......
本电路是一种集成单片结构,它包括一个p-i-n光学器件和一个诸如场效应晶体管之类的电子器件。光学器件呈一种p-i-n台面结构形状。......
采用傅立叶变换红外(FTIR)透射的方法测量了碲镉汞晶片在不同厚度下的透射曲线,运用经验公式确定了其组分及80K时的截止波长,并同实测的响应光......
采用标准双栅 CMOS工艺在镍诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅上制造了高性能的薄膜晶体管 ,并详细研究了器件制备前高温预处理对薄......
本发明提供一种量子阱红外光电探测器,它包括一层衬底、一层缓冲层、第一层导电层、一个多量子阱、一层任选阻挡层和第二层导电层......
本文提出了一种基于“沾笔”纳米刻蚀和电化学还原技术在表面上制备金属及半导体纳米结构的普适性方法。用这种方法可以在硅表面直......
高工作温度(HOT)型红外焦平面探测技术将是下一代红外探测技术的重要发展 方向之一,有着非常广阔的应用前景.然而,对于一般光伏......
黑磷作为近几年新兴的一种二维材料,在下一代的电力电子器件以及光电子器件中具有广阔的应用前景。然而研究发现,薄层的黑磷非常......
在过去的十几年中,有机太阳能电池的研究取得了显著的进展。随着新材料的不断开发和器件制备工艺的优化,有机太阳能电池的最高......
作为一种直接将太阳能转化为电能的装置,有机太阳能电池由于具有制备简单、质轻、柔性、可卷对卷打印等优点而被广泛关注。有机太......
垂直腔面发射激光器(Vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)具有低成本、低阈值、高速率和低功耗等优点,在短距离光互连......
学位
纳米金刚石(NCD)薄膜因其优异的性能,在力学、电学、电化学等领域具有广阔的应用前景。金刚石禁带宽度达5.47 eV,可应用于高温等极端......
通过对影响垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)的功率转换效率的因素进行理论分析,得出斜率效率......
具有中空结构的纳米材料,由于其具备空腔、质轻等特殊性能,在器件制备、催化反应、存储材料、生物医用材料等方面具有独特的优势。......
介绍了SiC材料的生长及器件制备技术,分析了目前SiC器件及集成电路等方面的研究现状,并讨论了存在的各种问题.
The growth of SiC material......
西德的西门子公司采用了新工艺流程制造绿色发光二极管,在10毫安的工作电流下,发光强度可以达到30毫烛光(编译者注:根据1975年发......
详细讨论了碲镉汞晶体生长技术以及器件制备工艺,共分七章。 1)现代红外灵敏材料碲镉汞的出现回顾发展概况,评述其电性能、光学特......
一、前言在半导体工业中,腐蚀技术除作为半导体表面清洁处理外,也作为无损伤加工的手段而得到广泛应用。在这种情况下,为改善器件......
用深能级瞬态谱(DLTS)研究用于制备1.3~1.55μm光纤通信探测器的高镉碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,x>0.5)混晶的深能级。观察到了一个位于......
报道用开管汽相外延法生长长波碲镉汞晶膜的结果。实验表明,用这种方法容易得到适合红外焦平面列阵器件制备用的大面积均匀优质碲......
本文描述采用国产锗单晶制备高分辨率同轴Ge(Li)器的方法。由于某些工艺不断改革和完善,制得了灵敏体积为78cm~3的Ge(Li)探测器,......
阻变存储器是新型计算机存储器件研究的重要内容之一,其具有功耗低、操作电压低等优点.阻变存储器主要的实现方式是基于交叉门闩结......
本文针对表面传导电子发射显示器件制备中,在导电膜上加电形成纳米级裂缝的这一过程从电压、电流变化方面进行分析.实验中发现在形......
采用阴影掩膜作为蒸镀电极的掩膜可以避开光刻过程,尤其有利于非传统材料的表面上电极的制备。利用该技术可以实现单一步骤大面积地......
为了提高Si基LED器件性能,同时降低器件制备成本,本研究设计并制备了一种新型的Si/SiO2图形化衬底.通过在Si(111)晶片上生长1μm厚......
SiGe HBT器件具有高频功率及噪声性能,本文基于先进的8英寸(200 mm)集成电路工艺生产线,通过Site HBT的工艺开发和器件设计,成功......
近年来,荧光碳纳米粒子(FCNPs)的合成及其光学性质受到极大的关注,它已经成为碳材料的重要一员,在生物成像、催化等领域得到了应......
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度......
本文利用磁控溅射法对NiO/NiFe间的交换偏置作用进行了研究.通过一系列工艺参数的改变,并结合XPS及XRD分析,其交换偏置作用可以达......
白光有机发光二极管可以作为照明、全彩色显示器的光源,成为显示领域研发的重点方向.但白光有机发光二极管的实现还存在性能控制较......