氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......

随着器件尺寸的缩小,非易失性存储器和其他半导体器件一样,面临着可靠性的问题。由于EEPROM器件经常工作在高电场应力之下,与之密......

通过对C30混凝土试件设置25℃、100℃、200℃、400℃、800℃五个温控节点,开展了45个GFRP-混凝土单剪试验,研究了火灾温度、黏结长......

随着集成电路持续不断地向着小型化、高集成度发展,pMOS器件的NBTI (Negative Bias Temperature Instability)和nMOS器件的HCI (Ho......