砷化镓场效应晶体管相关论文
本文研究了以HfAlO为栅介质的p-GaAs衬底金属氧化物半导体电容的电容-电压(C-V)特性.通过研究了2种组分的HfAlO栅介质(Hf0.5Al0.5O......
该文通过计算机多次求解n元一次克希霍夫电路方程组，分析有封装的微波砷化镓场效应晶体管的噪声系数与其等效电路元件参量的关系，并......
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等。以C波段40 W大功率器件为例讲述了内......
结合近几年研制的功率放大器，本文介绍了C波段固态功放偏置电路的设计理论和方法，并从设计原则、扇形线设计、线宽设计和稳定性设计......
在分析GaAs HFET／PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上，提出了电荷守恒的EEHEMT1模型，通过Cold FET测量技术，采用在片测试技术，......
结合新近研制的两种功率放大器,介绍了C波段中功率固态功放的设计理论和方法,并用微波仿真软件对其偏置电路和功分/合成电路进行优......
大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础，在分析传统建模方法的基础上，对传统的ColdFET测量技术和寄生元件参数提......
本文简要介绍了CX502N型微波砷化镓场效应晶体管的设计、特性与制造。器件采用了新的“积木式”台面结构,减小了栅-漏反馈电容。测......
本文描述了砷化镓场效应晶体管技术的现状,给出了这种器件的特性曲线,以及各种用于1～8GHz微波放大器的设计方法和要求。......
采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.......
实现了具有电抗补偿器和分节阻抗变换器的砷化镓场效应晶体管放大器,并对其特性作了测量。砷化镓场效应晶体管的输入和输出阻抗的......
本文首先简要地介绍了国外双栅砷化镓场效应晶体管的发展情况,接着比较了单栅与双栅砷化嫁场效应晶体管的直流与微波性能,最后着重......
本文针对遥测发射机系统的要求，提出了一种S波段固态功率放大器设计方案，通过仿真验证该方案切实可行。并采用微带传输线匹配研制出......
论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义，介绍了工程模型的概念和提取模型的方法，给出了在南京电子器件......
本文简要的综述了砷化镓场效应晶体管(以下简写GaAsFET)振荡器的发展近况.介绍了CaAsFET振荡器的基本电路,介质高稳定GaAsFET振荡......
