采用等离子体增强化学气相沉积法生长的单层本征氢化非晶硅薄膜对单晶硅片进行钝化,结果表明增加氢稀释比有利于减少薄膜中的缺陷,......

在覆盖SiO2的n-Si（100）衬底上,采用等离子体增强化学沉积法（PECVD）制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱（AE......

模拟计算了光的入射角度与反射率的关系，当光的入射角度大于23°时，发生全反射，无论是否在器件表面生长增透膜，这时的光都无法从器......