本征硅相关论文
浙江大学高纯硅及硅烷实验室,始建于1959年。国家教委于1985年批准为重点实验室,1987年11月通过国家级验收。该实验室由阙端麟教授......
浙江大学高纯硅及硅烷实验室,始建于一九五九年,一九八五年被国家教委批准为重点实验室,一九八七年十一月通过国家级验收。实验室......
在过去的几年中,红外成象技术成熟得很快,该技术所取得的进步已在许多方面得到了反映。凝视列阵规格尺寸的改进,已与动态随机存取......
引言在X射线分析工作中,往往需要标样,用以调整仪器和校正角度。因为硅具有纯度高,化学性能稳定,易获得,且有一般衍射强度背底低,......
本文专门论述今后七年中在军民用电光装置方面将对社会产生重要影响的某些预期变化。论述的方法是军用和民用分别选择七个和十个主......
为了制造性能优良的面垒型辐射探测器,需要具有高电阻率、杂质分布均匀的优质 N 型硅单晶。中子嬗变掺杂(neutron transmutation ......
Proc.IEEE 1975年1期是一本红外专刊,介绍了遥感技术使用的红外元件,电荷耦合器件,大气传输,扫描器的设计,遥感技术的军事、地资......
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一、红外电荷转移器件的效能与红外焦平面阵列的发展红外电荷转移器件主要包括红外电荷耦合器件与红外电荷注入器件两大类型。现......
为确保光生电荷输出在直接注入到CCD时不超过存贮容量,介绍了非本征硅红外光电导体的所需掺杂浓度、厚度和其它参数的计算。当CCD......
红外(热)成象是电荷耦合器件应用的一个重要领域,因为电荷耦合器件提供了相当容易地与大量探测器结合的可能,因而有可能消除或减少......
本文评述了红外电荷转移器件可能的系统应用.文章表明,掺杂硅器件工艺将会给系统应用带来巨大的影响.对硅探测器的量子效率,量子输......
本文介绍IRCCD的基本种类,叙述其结构形式、制作材料、目前存在的问题及改进措施。并评述其各方面及各种器件的发展前景,给出了典......
国外当前红外材料的研究着重于窄禁带三元半导体和半金属以及非本征硅材料,以制取高灵敏度、快响应速度和高工作温度的器件。近年......
按本文所述的方法可以生产供硅外延使用的高纯SiCl_4,其化学纯度可达8个“9”以上;生产不掺杂n/n~+硅外延层(厚度为40～50微米)的电......
本文在简述电荷耦合摄像器件(CCID)的原理,结构和功能的基础上,对已经出现的各种组态的电荷耦合器件(CCD)及应用情况,予以较全面的......
已完成的实验表明,非本征硅注入型红外探测器可用于模拟生物视觉系统中的瞬态神经响应。神经响应为视觉系统焦平面平行处理提供了......
本文主要介绍红外(IR)探测器列降发展水平,各种读出机理及其应用。评述了以热敏电阻、Pb盐、InSb、HgCdTe、非本征硅和肖特基硅二......
本文数字模拟了磁场中的半导体器件,计算了硅片的二维电势、电子和空穴浓度分布,把著名的Scharfetter-Gummel法推广到二维、非零磁......
针对传感器技术的基本研究的主要课题之一是如何改善制作红外焦平面列阵的碲镉汞材料的品质。这种列阵位于电子器件上面,由大量的......
前言在过去十五年到二十年内,越来越着重研究探测长波段红外辐射能量的非本征光导体。在这期间,非本征光导体已从实验室里的极少......
