探测率相关论文
高性能大规模小像元短波红外InGaAs焦平面探测器是新一代航天遥感仪器向高空间分辨率、高能量分辨率、高时间分辨率发展需要的核心......
随着光电技术的发展,光电探测器现如今已经成为各行业重要的基础元件之一。光电探测器将待测光信号转化为电信号,经过放大器的电信......
有机-无机杂化钙钛矿材料具有光学吸收系数大、直接带隙可调、载流子迁移率高和载流子扩散长度长等一系列优点而有利于实现材料中......
占域模型可用于大中型兽类的红外相机研究,主要目的是了解某个物种占据研究区域或适宜栖息地的比例、空间分布,同时可以评估环境因......
Hg1-xCdxTe光导器件的性能与该材料的表面条件和接触特性密切相关,通过钝化会改善器件的表面情况.其中的阳极化/淀积ZnS复合结构,......
会议
本文利用高光谱遥感异常目标探测理论,探讨了目前已有的几种异常目标探测方法;通过对3组数据进行试验,并从探测率和虚警率、ROC曲......
4H-SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点,在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域......
本文报道了在国内率先研制的64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面的最终结果,介绍了探测器的制备过程及基本特性.......
本文概要叙述了128元长波碲镉汞焦平面器件的原理及研制工艺；CMOS互连后测试结果：峰值Dλ＝3．4×1010cmHz1／2W－1，Rvλ＝1．2×108V／W，利用128元长......
本文简单叙述长波１６０元光导碲镉汞红外探测器，３～５μｍ锑化铟和８～１２μｍ光导碲镉汞双波段红外探测器的制造工艺过程，性能和使用情况。
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本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展．通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９×１０（１０）ｃｍ·Ｈｚ（１／２）／Ｗ，电压响应率为１．３×１０４Ｖ／Ｗ．各测......
混合ＩｎＧａＡｓ光电二极管阵列ＥＴＸ１２８ＦＰＡ是１６３８４元ＩｎＧａＡｓ焦平面阵列，供１．０～１．７μｍ波段内的近红外成象使用。这种１２８×１２８元的二维光电二极管阵列是使用钢冲击结合技术把ＩｎＧａＡｓ材料结合到......
现已实验演示了长波红外HgCdTe和GaAs量子阱128×128元凝视列阵成象仪。本文中,我们对探测器列阵性能特点进行对比,讨论这两种技术......
提出了一种用二次阈值检测红外点目标的方法，该方法对于提高红外警戒系统的探测率和控制虚警率具有较好的效果
A method of detect......
建立金属-绝缘体-半导体器件反型层子能带结构的势理论模型,并由此模型研究了金属-绝缘体-半导体器件红外探测器的工作机理及制作......
研究了ＰＥＣ结构热释电探测器的环境温度变化噪声及机械振动噪声，介绍了两种降低外部噪声的方法，得出了比探测率、环境温度变化产生的噪声......
测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异......
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器研究沈学础，陆卫（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文所作的研究包括：１．基本物理机制研究在理论上研究了子带间跃迁的基本物......
1994年10月,以色列的S.C.D半导体器件公司(Semi-Conductor Devices)组团参加了在北京国际展览中心举办的国际光电技术讨论会(IOPS......
八十年代后期,贝尔实验室首先提出了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)结构的红外探测器,并报道了器件性能。近几年来,广泛开展了对量子阱......
为提高采用ＨｇＣｄＴｅ晶体的自积分型红外探测元件的性能，探讨了晶体生长技术、器件工艺技术和器件的特性评价技术等。在晶体特性和器件特性等......
研究了长波ＨｇＣｄＴｅ光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明：制成器件后，表面电导、材料电导率的变化和背景辐射都将使器件......
报道了在一个外尺寸为20mm×20mm×4．5mm充氮管壳内封装两个波段拼接的8元短波MCT探测器工程化组件。在155K工作温度下，探测器的DΔ......
理论计算和实验都表明（ＨｇＣｄ）Ｔｅ具有很强的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应。利用Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应，可以使（ＨｇＣｄ）Ｔｅ探测器的光吸收产生电致偏移，对１０．６μｍＣＯ２激光辐射由不吸收状态转变为吸收态，并进而为......
叙述用微细加工技术制作的非致冷单片式半导体薄膜电阻辐射热计红外探测器的结构模型。基于模型所预测的性能与实验结果相符合。性......
在８元碲镉汞光导探测器上淀积增透膜可以改善各元的光谱响应的均匀性，同时也提高了在１０．４～１２．４μｍ波长间的响应率与探测率，并给出了实验结果。
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对高温超导测热辐射计（Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）在红外热成象研究的应用方面作探索性研究，根据高温超导Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ的探测机理和噪声理论，设计与之相匹配的电路系统，实现对......
本文简述了高Tc超导红外探测器的优越性、探测器工作原理以及热敏型高Tc红外探测器的研制方法和主要性能参数测试结果，并对光子型高......
测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响，结果表明：在高性能探测器中，室温......
从理论上对n~(+)在p上和p在n上的HgcdTe光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机理控制的热发生的结......
陕西华新红外器件厂根据电子工业部有关文件要求而研制完成的《H22DS1A、1B型高灵敏度光导锑化铟红外探测器》于1997年5月8日在电......
研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面......
文章报道了空间多光谱扫描仪红外波段多元光导碲镉汞探测器的研制与优值。重点研究并解决了多元器件光谱曲线不一致性的问题，简述了......
利用线性渐变滤光器与线列多元ＨｇＣｄＴｅ光导探测器组合，研制出８～１４μｍ长波多通道ＨｇＣｄＴｅ光导探测器，探测器光谱分辨率接近０．２μｍ。文中给出了多通道探测器光谱......
报道了工程化长波光导６０无碲镉汞红外探测器组件研制的结果，该组件由探测器芯片、杜瓦和制冷器组成。探测器组件的主要指标达到：ＤＢ＝１．７×１Ｏ１０ＣｍＨｚ１／２／ＷＶＢ＝１６×１０４Ｖ／Ｗ。......
报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数......
介绍了研制的大面积多元PbS红外探测器的各项技术指标，叙述了PbS膜的微区分析、PbS光敏膜的制备、PbS光敏图形的刻蚀等几个关键工艺......
通过包括所有可能的高阶衍射波，本文计算了量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应，发现一维光栅有很宽的光谱范围，可以同时覆盖3～5μm和8......
在过去的一年中,一种明显的动力促使美国航空与航天局(NASA)考虑以较低成本的使命来协调更高的新使命发射率。为了维持低使命成本,......
