【摘 要】
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极紫外光刻技术,以中心波长位于13.5nm、2%带宽的极紫外荧光为光源。由于放电Xe等离子体13.5nm极紫外光源具有结构相对简单、造价较低等优点,使其成为用于极紫外光刻机中的反
【机 构】
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哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室; 东北林业大学理学院;
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极紫外光刻技术,以中心波长位于13.5nm、2%带宽的极紫外荧光为光源。由于放电Xe等离子体13.5nm极紫外光源具有结构相对简单、造价较低等优点,使其成为用于极紫外光刻机中的反射镜、掩膜版、光刻胶等系统检测的中小功率的理想光源。本文对本课题组在放电Xe等离子体极紫外光源方面的研究工作做了全面的介绍。首先建立了极紫外光源实验装置,获得了Xe等离子体极紫外辐射光谱,观察到了中心波长位于13.5nm的Xe10+产生的极紫外辐射。测量了波长13.5nm(2%带宽)极紫外辐射的时间特性,并用多次箍缩理论解释了光脉冲的多峰结构。获得了主脉冲电流幅值、Xe气流量、陶瓷管内径、等离子体长度、辅助气体等实验参数对13.5nm(2%带宽)极紫外辐射强度影响的规律。在此基础上建立了重复频率1k Hz的13.5nm极紫外光源样机,介绍了样机的电源系统、放电系统、去碎屑系统和光收集系统的基本情况,并给出了光源样机的调试结果。本文的研究结果对我国未来建造更大功率的极紫外光源具有参考意义。
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