氮化铝(AlN)相关论文
采用原子层沉积(ALD)工艺在硅衬底上生长了35 nm以下不同厚度的超薄氮化铝(AlN)晶态薄膜.利用椭圆偏振光谱法在波长275～900 nm内测......
以GaN 基为代表的半导体材料(GaN、AlN 和InN)与器件应用的突破皆是基于高温金属有机化合物化学气相沉积和分子束外延技术上实现的......
利用金属有机物化学气相沉积系统(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)在n 型SiC 衬底上外延生长AlN 薄膜,厚度约为10......
设计了一种基于氮化铝(AlN)材料的压电连续面型变形镜，采用理论分析和COMSOL仿真对该AlN MEMS变形镜的结构进行了优化，拟合了前14项Z......
氮化铝(AlN)作为直接带隙半导体且禁带宽度为6.2 eV,使其在深紫外光电子器件(如半导体激光器、日盲光探测器等)、高频大功率射频器......
介绍了应用一种新的高密度组装技术来降低X波段有源阵列雷达的成本、重量及体积。文中介绍的组件使用了多层AlN基板、倒装单片微波......
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理想的稀磁半导体具有良好的室温铁磁性，氮化铝（AlN）稀磁半导体虽然具有宽的带隙和透光性，但由实验重复性差等原因，一直未得到广泛的应......
摘要：采用共混-浇注成型法制备氮化铝/环氧树脂（AlN/E-51）复合材料。借助静止沉淀法、接触角、傅立叶红外光谱（FT-IR）和热失重（TGA）等进行......
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研究了添加5％（质量分数,下同）和7％Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的AlN陶瓷的注射成形工艺,制备了热导率达162.5 W/（m·K）的AlN陶瓷,利......
将空心阴极效应运用于AIN陶瓷的烧结,选用自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,用Y2O3-Li2O-CaO(YLC)作为烧结助剂,进行了烧结试验,并探......
薄膜体声波谐振器(FBAR)具有谐振频率和质量灵敏度高,尺寸小及与CMOS工艺兼容等特点,这些特点使FBAR技术成为制备生物化学传感器的......
介绍了一种微型化体声波谐振器的理论模型和实作结果,采用微电子和微机械加工技术,实现了一种上、下电极覆盖压电AlN的“三明治”......
采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输（PVT）法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光......
随着近年来柔性高压直流输电的快速发展,高压直流电缆的应用越来越广泛。直流高场下聚乙烯绝缘材料中的空间电荷问题是制约高压直......
本文介绍了氮化铝(AlN)陶瓷的特性,并以金属铝直接氮化法和氧化物高温碳还原氮化法为重点,阐述了AlN粉末的各种制备工艺及反应机理......
氮化铝陶瓷是近年来广受关注的一种新型陶瓷材料,是剧毒氧化铍的替代材料,其在高功率电子领域有着相当广泛的应用前景,但是氮化铝......
高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同......
三维多芯片组件(3D MCM)是在2D MCM技术基础上发展起来的高级多芯片组件, 可以进一步提高组件的组装密度,实现更小的体积和更多的......
