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对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD（器件与工艺计算机辅助设计）,研究了氧......
利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI，研究了工艺参数对DC—DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以......
高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值，从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和M......
