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二硒化钨(WSe2)具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集......
对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属......
该文扼要地介绍了SBTT的工作原理.通过使用蒙特卡罗器件模拟软件模拟了SBTT的特性.在实际的模拟过程中,使用了全能带描述能带结构,......
对poly-Si TFT的制作工艺进行了研究，采用准分子激光晶体法制备了多晶硅薄膜，并以Mo,Al两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两......
