有源层相关论文
近几十年,有机半导体材料开始受到人们的关注。在这个背景下,有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistors, OTFTs）的研究也随之开......
现代显示技术在飞速发展，人们对高分辨率、高帧数的需求不断提高，所以显示器对驱动器件性能的需求也不断提高。目前显示行业中使用的......
A selective area growth double stack active layer electroabsorption modulator integrated with a dist
为制作与分布式的反馈激光(EML ) 综合的电镀物品吸收调节的人的一个新方法被建议。与方法，我们制作了选择区域生长两倍栈活跃的层 ......
The effect of interfacial diffusion on device performance of polymer solar cells： a quantitative vie
在接口的成分材料的散开是为设备性能和稳定性的关键因素之一。在这个工作，聚合物太阳能电池的设备性能上的经典界面的材料 PFN 的......
在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis(2,2,3,3,4......
报道了用有机染料ＴＰＢ（１，ｌ，４，４－四苯基丁二烯）分散到ＰＶＫ（聚乙烯基咔唑）中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转......
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用于ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望......
报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。
The fabrication and experimental......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得......
以有源法布里－珀罗谐振腔的增益特性为基础，研究了行波半导体光放大器的偏振特性。对行波半导体光放大器的偏振灵敏度与端面反射率、......
本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．
This paper reports ......
研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英......
报道了在光照下具有高跨导值(高达64mS/mm)的1μm栅 Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET),解释了光照下器件跨导......
报导了最新开发的集成光波导器件的计算机辅助设计软件─—IOCAD2，它是一个采用复折射率矢量束传播分析方法的三维模拟分析软件。本......
报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，......
研究了氯掺合（Ｃｌｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）对非晶硅薄膜晶体管（ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ）性能的影响。在光照明下，ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ的断态漏电流比ａ＿Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的小得多，这是因为ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）的光电导率比常规ａ＿Ｓｉ∶Ｈ的小得......
本文给出了一种利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片（简称ＭＭＩＣ）有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能......
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果......
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能......
对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5／a－SiNx双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构a－Si:HTFT来......
从理论上分析了 a- Si∶ H薄膜晶体管 ( TFT)有源层—— a- Si∶H薄膜的光电特性、厚度及淀积均匀性、稳定性、重复性对 TFT工作性......
提出了一种ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型．分析了ＧａＡｓ 双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式．通过提取适当的模型参数，其直......
分析了半导体光放大器的偏振特性，研制成功一种具有低偏振相关增益的半导体光放大器，该器件采用张应变与压应变混合量子阱结构，在有源......
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器．我们对该器件的掺杂与结构进行了优化，增强了载流子阻挡光栅的......
介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ），特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性，对器件参数的选择进行了分析
The ......
研究了Si+ 和Si+ /As+ 注入到HorizontalBridgman (HB)和LiquidEncapsulatedCzochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率......
生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺......
通过对电子传输层和空穴传输层的共同掺杂 ,达到提高有机发光二极管 (OLED)电流效率的目的 .与常规的在电子传输层中掺杂有机染料......
提出了一种新的全耗尽SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的......
根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后......
据《Semiconductor FPD World》2006年第10期报道,日立制作所中央研究所成功开发了应用于IP光通信网络的以GaInNAs为有源层的半导......
以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶......
研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜......
本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管(TFT)。发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性。......
在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层——薄膜晶体管(thin f......
以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长。利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管。SiO......
采用底栅顶接触结构,研究制备了以并五苯为有源层、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为绝缘层的全有机场效应晶体管（OFET）,其中绝缘层采用溶液旋......
提出了以弱p型(p--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本住友电工采用圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)技术,在GaAs衬底上形成PHEMT有源层,并在其上......
旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟......
