GaAs纳米线相关论文
由于光电方面的应用,半导体纳米材料是近几十年很有潜力的研究领域。由于量子限制效应和大的表面积体积比,纳米材料具有与体材料完......
Ⅲ-Ⅴ族材料比Si具有更高的载流子迁移率和吸收系数,因此III-V族化合物半导体被广泛认为是新一代光电子器件取代Si更有前途的候选......
纳米结构光电探测器具有光学灵敏度高、响应速度快、光电转换效率高等优点,被广泛应用于光学成像和传感、环境监测、化学/生物传感......
GaAs基半导体掺杂技术通过在禁带中引入杂质能级,对其电学及光学特性产生决定性作用,当GaAs材料降维到一维纳米尺度时,由于比表面......
经过几十年的发展,Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在光电器件的应用方面一直扮演着重要的角色,而Ga As纳米线因其优异的力学性质、电子学性能及......
纳米激光,是指由纳米线等纳米光电材料作为谐振腔,在光激发或电激发下发射出的激光。发射纳米激光的激光器的尺寸往往只有数百微米......
采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品......
利用无催化选区金属有机化学气相沉积(SA-MOCVD)法在GaAs(111)B衬底上分别制备了GaAs纳米线和GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质......
纳米线在新一代微纳系统和纳米器件中具有巨大的应用潜力。Ⅲ-Ⅴ族纳米线普遍具有直接带隙的特点，光电转换效率高，在光电探测器、太......
采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs)。通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品......
采用分子束外延技术在N-型Si （111）衬底上利用自催化生长机制外延砷化镓（GaAs）纳米线,对生长的纳米线进行扫描电子显微镜测试,纳米线垂......
采用分子束外延技术在N-型Si (111)衬底上利用自催化生长机制外延砷化镓(GaAs)纳米线,对生长的纳米线进行扫描电子显微镜测试,纳米......
利用金（Au）辅助催化的方法,通过金属有机化学气相沉积技术制备了GaAs纳米线及GaAs/InGaAs纳米线异质结构.通过对扫描电子显微镜（SEM）测......
利用第一性原理计算方法研究了表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化．计算结果显示，不论是闪锌矿结构还是纤锌矿结构，GaAs纳米线......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
由于半导体纳米线特殊的结构特征和独特的物理、化学性质,IV族和III-V族材料制成的纳米线在化学传感器、锂电池、热电转换器件、光......
本论文研究工作是围绕以下项目展开的：以任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划(973计划)项目“新一代通信光电子集成......
本论文的研究工作是围绕以下项目展开的：新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究(国家973计划项目,编号2010CB327......
本论文中的工作都是基于本实验室课题组承接的国家重点基础研究发展规划(“973”计划,项目编号：2010CB327600)中的“新型光电子器件......
材料的可控合成是研究材料的结构与性能的重要前提。本研究采用金颗粒催化的化学气相沉积法合成GaAs半导体纳米线,研究了金颗粒催......
采用第一性原理的密度泛函方法,研究了利用表面修饰来调制GaAs纳米线的电子结构.在计算中考虑了几种不同的表面钝化材料(H、F、Cl......
纳米线表面存在大量的表面态,它们能够引起电子分布在纳米线表面,使得纳米线的电学性质对表面条件变得更加敏感,严重地制约器件的......
本论文的研究工作围绕以下项目展开的：国家科技部973计划项目(编号为2010CB327601)、教育部博士点基金(编号为20120005110011)、国......
