超薄氧化铝层的电场调制效应

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yzoryanzii

【摘要】

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研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al2O3/NbAlO/Al

【作者】

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徐大朋程佩红陈琳张卫

【机构】

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复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2018年6期

【关键词】

：

电场调制阻变存储器原子层沉积 electric-filed modulating effectresistive random access memory(

【基金项目】

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National Natural Science Foundation of China(61376092,61076114,61106108,51172046),Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education(20110071130005).

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研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al2O3/NbAlO/Al2O3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al2O3膜后,阻变存储器的SET

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