直流偏压相关论文
弛豫铁电陶瓷（1-x）Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3（（1-x）PMN-xPT，PMN-PT）具有优良的电学性能和电-光性能，在多层陶瓷电容器、压电器件和光学装置......
氮化碳材料以其优异的特性受到大量研究者的重视,但N原子的百分含量及价键结构等的瓶颈限制了它的广泛应用。偏压辅助技术在促进sp......
本文主要阐述三点内容:1、设计搭建ICP放电线圈以在特定的真空室内产生高密度可持续的等离子体;2、在该等离子体环境中创新性地以......
基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔......
在不同直流偏压下,测试了[001]和[111]方向的PMN-32％PT单晶的介电温度谱,研究了其介电响应和相变行为。当施加的偏压在E=1.5～4.0kV/c......
采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu_3Ti_(4-x)Al_XO_(12-x/2)(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和......
研究了强直流偏压场下的800nm飞秒激光电离空气等离子体产生的太赫兹波。通过改变直流偏置场的方向，使之垂直或平行于泵浦光偏振方......
一、打印机输出空白纸 对于针式打印机，引起打印纸空白的原因大多是由于色带油墨干涸、色带拉断、打印头损坏等，应及时更换色......
介绍了一种新型的大功率场效应管MRF154的技术参数和特点，给出了由MRF154组成的一款推挽式高频功率放大器的具体电路，并对该电路进行......
VCT(Vacuum coating technology真空镀膜技术)是现阶段较为先进的材料合成及加工技术,系统经VC(Vacuum chamber真空室)、泵组、电......
为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体（ICP）方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中......
采用磁控溅射和直流偏压二极溅射两种方法制备了NbN薄膜. 用XRD和TEM测量比较了两种不同溅射方法获得的NbN薄膜的特点, 并测量了Nb......
应用循环伏安法和电化学阻抗谱研究了直流偏压对卵磷脂在玻碳电极表面自组装成膜过程及其结’构的影响．实验发现：无论在正偏压还是负......
高速光纤通信系统中通常采用外调制驱动电路,外调制驱动电路必须能够提供足够的输出驱动电压和直流偏压以满足调制器的需要。基于......
详细推导了静电伺服加速度计在定极板上施加直流偏压、交流驱动电压,动极板上有反馈直流电压和交流检测电压的情况下,检测质量(动......
直流自我偏压作为高密度射频（RF）等离子体刻蚀工艺中的重要电学参数,反映出具有高能量的离子对待刻蚀晶片的轰击效果,后者决定了刻蚀......
研究在N2中利用直流扫描电压法、直流偏压法、交流阻抗谱法三种方法,分别测定了两类混合导电材料的电子电导率。研究发现,对于以电......
针对现有断路器开断容量不能满足超高压系统故障短路电流要求的现状，介绍了两种单相桥型高温超导限流器的基本工作原理；针对整流桥中......
在40 Hz～10 MHz频率范围测量了5种阴离子交换膜/0.000 1 mmol/L KCl溶液体系有无直流偏压下的介电谱,发现只有当给这些体系施加直流......
采用等离子体增强磁控溅射系统在奥氏体不锈钢表面沉积纯铬涂层,以达到表面强化的效果。通过改变基体直流偏压来调节离子能量,研究......
在不同的负直流衬底偏压下,用脉冲激光沉积法在单晶Si和K9玻璃衬底上沉积水晶碳膜.用扫描电镜观察膜的表面形貌;用椭偏法测量沉积......
根据铌酸锂晶体的电光调制特性,采用折射率椭球方法分析了x切y传马赫-曾德强度调制器的调制原理。讨论了直流偏置电压对调制器输出......
针对射频辉光放电过程中射频电源与直流偏压电源的叠加问题,通过分析阻抗匹配网络和高频屏蔽网络的工作原理,利用阻抗匹配网络将射......
随着科技进步与发展,人们对能源的需求越来越大。尤其在进入二十一世纪的这十几年时间当中,飞速发展的工业化进程使得传统能源逐渐......
热释电系数是表征热释电材料性能好坏的重要指标，钛酸锶钡（（Ba，Sr）TiO3,BST）和钽钪酸铅（Pb（Sc，Ta）O3,PST）等相变热释电材料居里温度接近工作温......
表面涂层的历史可以追溯到一千多年以前，最早应用于表面涂层的是TiN硬质薄膜，其次是CrN薄膜，它们已经广泛地应用于刀具、模具、机械等......
提出了一种新型的聚合物波导电光调制器,同时利用了聚合物材料的Pockels效应和Kerr效应,在不增加调制电压的情况下,通过引入直流偏......
本文研究用脉冲激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅、K9玻璃等衬底上生长超硬非晶碳膜。激光波长532nm，脉宽10ns，重复频率1或5Hz。第一章简......
通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工......
