碲锡铅相关论文
为研制高探测率D红外探测器,对器件所选用的碲镉汞、碲锡铅、锑化铟以及钽酸锂芯片材料的研磨和抛光技术,提出了很高的要求。因这......
一、前言与红外点光源制导的短波硫化铅探测器和中波锑化铟探测器不同,红外成像制导需要能探测飞机气动加热的蒙皮温度的长波红外......
Proc.IEEE 1975年1期是一本红外专刊,介绍了遥感技术使用的红外元件,电荷耦合器件,大气传输,扫描器的设计,遥感技术的军事、地资......
笔者于1981年6月1～4日参加了西德慕尼黑第五届激光光电子展览会。随后,参观了西德的部分研究所和大学。现根据所见所闻,提出个人看......
英plessey公司的LGC-600型光伏碲锡铅器件(77°K),系用汽相外延材料制成,成分均均,可用于9～12或10～13微米波段,单元器件装在50.8毫......
本文报导了研究液相外延生长Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te晶体薄膜和PbTe/Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te异质外延的结果。衬底是用汽相生长的Pb_(0.8)S......
引言军用和民用两方面在可能范围内广泛应用热成象系统都对它们的经济和技术现实性十分注意。特别是采用比较新的半导体材料和现......
为寻找地下热能和调查与矿产有关的地质构造等目的,我们于1981年4月在辽东半岛地区,开展了面积性航空红外扫描工作,共计8个架次,4......
作者用气相传输系统在碲化铅基片上生长了Pb_xSn_(1-x)Te合金(X值在0.88～0.75之间)的单晶层。并用这种合金材料制成了灵敏的光电二......
有证据表明,在空穴浓度约10~(16)厘米~(-3)(77°K)的材料薄片上,使用杂质扩散方法制成的Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te 平面型光电二极管,......
用气相输送外延技术可以相对容易地在氟化钡衬底上取向生长碲锡铅块状单晶。用这种方法已生长了不同Pb、Sn和Te组分的漏斗形和园柱......
在PbSnTe衬底上用液相外延生长铅-锡碲层并通过很好限定的氧化物窗进行杂质扩散,已制备成可再现的高质量光伏探测器。外延层的载流......
根据碲锡铅三元素的化学性质,采用了容量分析法,并对其共存离子的影响、解蔽剂以及溶液pH值的选择等进行了研究。
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工作在10.6微米波长的测距机在低能见度条件下具有良好的性能,其光学元件与热视系统兼容并且对眼睛安全;这些优点对军事应用特别重......
从室温开始,掺铟碲锡铅的霍尔常数与温度倒数成指数增加,然后下降,而最后平稳下来。这种特性可根据自动补偿及禁带的正温关系而加......
一、前言碲锡铅(PbSnTe)是目前国内外正在广泛而深入研究的一种Ⅳ—Ⅵ族合成固溶体化合物。它不仅是用来制造长波红外探测器的本......
1.碲锡铅单晶的生长闭管汽相传输法已证明可获得高质量的单晶。这种工艺就是使碲锡铅固态源汽化,并把气体分子传输到生长管的另一......
引言对红外探测器的许多应用,系统设计者现在可在以下两者之间选择:即半导体器件,如77°K碲锡铅光伏二极管和室温热探测器,如热电......
华北光电技术研究所近期研制成下述两种红外探测器: 1.碲锡铅异质结红外探测器 这是以碲锡铅晶体作衬底、用液相“异质结”外延技......
本文为圣塔巴巴拉研究中心(SBRC)的多元红外探测器阵列工艺的综述。文内探讨了铅盐、锑化铟、碲锡铅、碲镉汞、非本征锗和硅探测器......
用腐蚀法研究了液相外延生长的Pb_(1-x_Sn_xTe异质结构。在界面处和异质外延层中具有高腐蚀坑密度(≥1×10~7厘米~(-2)的晶格失配......
本文简述西德德律丰根通用电气公司红外探测器的近况,特别讨论了8～14微米光电二极管的发展,它们以铅锡硫族化合物(碲锡铅、硒锡铅、......
美国第三届晶体生长会议于1975年7月开了五天,除全体会议之外,共分16个小组进行活动,其中有4个小组谈到了红外材料。在异质外延组......
已制备了光谱响应和灵敏度具有良好一致性的高探测度光伏探测器,也制备了达14元的阵列,它们显示出的良好稳定性达一年以上。这些探......
随着红外技术的发展,红外探测器已开始广泛应用于尖端科学、国防现代化、国民经济各个领域及人民生活中。我所研制的红外探测器有......
固态时代随着晶体管及晶体生长和材料提纯技术的进展,开创了红外探测器的新纪元。图1表示光导和光伏探测器在不同视场下的背景限......
前言目前Barnes 工程公司已研制成锑化铟和碲锡铅两种光伏红外探侧器,本文对它们的研制现状加以评述。对于锑化铟,已探索出一种制......
评论几个重要的红外探测器表明,通过室温碲镉汞探测器和异质结碲锡铅探测器这样一类器件的研制,红外技术不仅正在解决迫切的军事需......
在28-160K温度范围内测量了液相外延制备的n-PbTe/p-PbSnTe异质结构二极管的零偏压结电阻面积乘积R_oA.采用通常的p-n结模型计算了......
